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数字集成电路--电路、系统与设计(第二版)课后练习题及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分）

1.在CMOS反相器中，当输入电压VIN处于阈值电压VTN和VTP之间时，晶体管M1和M2的工作状态是？

A.M1导通，M2截止

B.M1截止，M2导通

C.M1和M2均导通

D.M1和M2均截止

2.衡量逻辑门电路抗干扰能力的主要参数是？

A.延迟

B.功耗

C.噪声容限

D.输出电流

3.对于一个NAND门，其输入分别为A和B，输出为Y。当A=1,B=0时，Y的值是？

A.0

B.1

C.高阻态

D.不确定

4.在数字电路中，静态功耗主要来源于？

A.信号转换期间的开关功耗

B.电路中始终导通的晶体管的漏电流

C.电路的寄生电容充放电

D.互连线上的信号反射

5.SRAM存储单元通常使用几只晶体管？

A.1

B.2

C.4

D.6

6.在设计高速数字电路时，通常优先考虑降低哪个参数？

A.电路面积

B.功耗

C.延迟

D.噪声容限

7.I/O缓冲器通常具有何种特性以适应不同电压域？

A.高输入阻抗

B.低输出阻抗

C.电压转换

D.以上都是

8.锁相环（PLL）的主要功能是？

A.产生精确的时钟信号

B.放大微弱信号

C.滤除特定频率噪声

D.将交流信号转换为直流信号

9.在组合逻辑电路中，下列哪项是冒险现象？

A.电路输出产生毛刺

B.电路延迟过大

C.输入信号变化太快

D.电路功耗过高

10.设计一个用于存储16位数据的静态RAM，至少需要多少个存储单元？

A.16

B.32

C.64

D.1024

二、填空题（每空2分，共20分）

1.CMOS电路中，增强型NMOS晶体管的开启电压通常用_______表示。

2.数字电路中的“与”逻辑关系可以用_______门实现。

3.功耗是衡量数字电路性能的重要指标，它通常包括静态功耗和_______功耗。

4.存储器单元的_______是衡量其速度的关键参数。

5.在系统级设计中，电源完整性和_______是需要重点考虑的问题。

6.时序分析中，建立时间是指输入信号必须在时钟边沿前至少保持的时间。

7.CMOS反相器的静态功耗理论上为零，因为在一个稳定状态下，M1和M2中总有一个是_______的。

8.I/O接口电路需要适应不同逻辑电平标准，例如3.3V和_______V。

9.锁相环主要由鉴相器（PD）、低通滤波器（LPF）和_______组成。

10.当设计要求低功耗时，通常可以采用_______设计技术，如多阈值电压（Multi-VT）设计。

三、简答题（每题5分，共20分）

1.简述CMOS反相器的工作原理。当输入电压从低电平跳变到高电平时，电路中的电流如何变化？

2.什么是静态时序分析（STA）？STA的主要目的是什么？

3.简述SRAM和DRAM的主要区别。

4.什么是电源噪声？在高速数字电路设计中，如何减小电源噪声的影响？

四、计算题（每题10分，共30分）

1.一个CMOS反相器使用nMOS晶体管（W/L=10um/1um，kn=100uA/V2）和pMOS晶体管（W/L=20um/1um，kp=25uA/V2）。假设VDD=5V，VTN=0.7V，VTP=-0.7V。请估算该反相器在输入电压VIN=2.5V时的输出电压VOUT，并简要说明计算过程。

2.设计一个2-to-4线译码器。请列出其真值表，并写出输出函数的逻辑表达式。

3.一个SRAM存储单元由两个交叉耦合的反相器构成。假设晶体管关断时的漏电流为1nA。该存储单元在静态时消耗多少功率？（假设电路处于稳定状态，无开关活动）

五、设计题（15分）

设计一个简单的4位串行-in，串行-out移位寄存器。请画出其基本的逻辑框图，并简要说明其工作原理。假设使用D触发器作为基本存储单元。

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试卷答案

一、选择题

1.B

2.C

3.B

4.B

5.D

6.C

7.D

8.A

9.A

10.A

二、填空题

1.VTN

2.与

3.动态

4