宽禁带半导体ZnO_ZnS异质结：制备、结构解析与性能探究.docxVIP

宽禁带半导体ZnO/ZnS异质结：制备、结构解析与性能探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的迅猛发展，半导体材料在能源、光电器件等领域发挥着愈发关键的作用。宽禁带半导体材料以其独特的物理性质，如宽禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子迁移率和高热导率等，成为推动半导体技术不断进步的核心力量，也因此在诸多前沿领域展现出巨大的应用潜力。以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体，在新能源汽车、5G通信、人工智能等新兴产业中得到了广泛应用，有效推动了相关产业的升级和发展。

氧化锌（ZnO）和硫化锌（ZnS）作为两种重要的宽禁带半导体材料，各自具备独特的优势。ZnO拥有直接