半导体物理课件第二章.pptVIP

估算结果与实际测量值有相同数量级Ge：△ED～0.0064eVSi:△ED～0.025eV第29页，共64页，星期日，2025年，2月5日2.1.5杂质的补偿作用假如半导体中，同时存在着施主和受主杂质，半导体是n型还是p型呢？这要看哪一种杂质浓度大，因为施主和受主杂质之间有互相抵消的作用通常称为杂质的补偿作用第30页，共64页，星期日，2025年，2月5日当NDNA时n=ND-NA≈ND，半导体是n型的当NDNA时p=NA-ND≈NA，半导体是p型的当ND≈NA时杂质的高度补偿有效杂质浓度补偿后半导体中的净杂质浓度。第31页，共64页，星期日，2025年，2月5日当NDNA时ND-NA为有效施主浓度当NDNA时NA-ND为有效受主浓度第32页，共64页，星期日，2025年，2月5日杂质的补偿作用的应用利用杂质的补偿作用，根据扩散或离子注入的方法来改变半导体某一区域的导电类型，制成各种器件。在一块n型半导体基片的一侧掺入较高浓度的受主杂质，由于杂质的补偿作用，该区就成为ｐ型半导体。第33页，共64页，星期日，2025年，2月5日第34页，共64页，星期日，2025年，2月5日第35页，共64页，星期日，2025年，2月5日2.1.6深能级杂质非III、V族元素在硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带底和价带顶较远，形成深能级，称为深能级杂质。特点不容易电离，对载流子浓度影响不大深能级杂质能够产生多次电离，每次电离均对应一个能级。能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低第36页，共64页，星期日，2025年，2月5日第37页，共64页，星期日，2025年，2月5日2.2III-V族化合物中的杂质能级III族元素：硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、铊(Tl)V族元素：氮(N)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)和硅、锗晶体一样，当杂质进入III-V族化合物后，或者是处于晶格原子间隙中的间隙式杂质，或者成为取代晶格原子的替位式杂质，不过具体情况比硅、锗更复杂。第38页，共64页，星期日，2025年，2月5日1、I族元素一般在砷化镓中引入受主能级。如：银、金、铜、锂。2、II族元素如：铍、镁、锌、镉、汞。它们的价电子比III族元素少一个，有获得一个电子形成共价键的倾向，表现为受主杂质，引入浅受主能级。常用掺锌或镉以获得III-V族化合物的p型材料。第39页，共64页，星期日，2025年，2月5日3、III、V族元素（1）等电子杂质特征：a、与基体原子同族另外原子如：III硼、铝V磷、锑。参入到砷化镓中，在禁带中不引入能级。b、以替位形式存在于晶体中，基本上是电中性的。第40页，共64页，星期日，2025年，2月5日（2）等电子陷阱等电子杂质（如N或Bi）占据本征原子位置（如GaP中的P位置）后，由于原子序数的变化，原子的半径和电负性有差别，因而它们能俘获某种载流子而成为带电中心。这个带电中心就称为等电子陷阱（电子陷阱或空穴陷阱）。第41页，共64页，星期日，2025年，2月5日是否周期表中同族元素均能形成等电子陷阱呢?只有当掺入原子与基质晶体原子在电负性、共价半径方面具有较大差别时，才能形成等电子陷阱。一般来说，同族元素原子序数越小，电负性越大，共价半径越小。等电子杂质电负性大于基质晶体原子的电负性时，取代后，它便能俘获电子成为负电中心；反之，它能俘获空穴成为正电中心。第42页，共64页，星期日，2025年，2月5日GaPN(共价半径和电负性分别为0.070nm和3.0)P(磷的共价半径和电负性分别为0.11nm和2.1)Bi(共价半径和电负性分别为0.146nm和1.9)?ED＝0.008eV?EA＝0.038eV正电中心，空穴陷阱负电中心，电子陷阱例：等电子陷阱第43页，共64页，星期日，2025年，2月5日（3）束缚激子等电子陷阱俘获某种载流子后，又因带电中心的库仑力作用又俘获另一种载流子，形成束缚激子。这种束缚激子在由间接带隙半导体材料制造的发光器件中起主要作用。第44页，共64页，星期日，2025年，2月5日4、IV族元素碳、硅、锗、锡、铅当取代III族原子则起施主杂质作用，当取代V族原子则起受主作用。IV族元素还可以杂乱地分布在III族原子和V族原子的格点上，这时杂质的总效果是起施主作用还是受主作用，与掺杂浓度及掺杂时的外界条件有关。