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摘要
摘要
碳化硅（SiC）为第三代半导体材料，因其具有高击穿场强、高电子迁移率、
高热导率等优异性能而得到应用广泛。物理气相传输法（PVT法）是生长大尺寸
SiC单晶的主要方法，生长过程中气相组分的扩散行为直接影响晶体质量与生长
速率。现有扩散系数模型（如Chapman-Enskog公式和Fuller公式），难以准确
述高温（2000K）、恒压系统中复杂的传质过程，且针对PVT法生长碳化硅晶
体过程中
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