掩模基板用石英衬底清洗效果影响因素探讨.pdfVIP

试验研究清洗世界第41卷第3期

试验研究CleaningWorld2025年3月

1671-8909（2025）3-0063-003

文章编号：

掩模基板用石英衬底清洗效果影响因素探讨

徐根，杨旭，李翼，李伟

（湖南普照信息材料有限公司，湖南长沙410083)

摘要：本文用康宁7980型石英Q6025光掩模用抛光衬底玻璃，在不同的工艺下进行溅镀钼硅膜前的

清洗，阐述清洗工艺与衬底表面洁净度的关系及机理，实现衬底颗粒缺陷降低，同时优化钼硅膜的膜应力。

关键词：掩模基板；清洗工艺；颗粒缺陷；膜应力

TP273.5A

中图分类号：文献标识码：

1研究背景Corning7980石英玻璃。毛坯经磨边磨棱、抛光光

洁后，PVA海绵刷洗及初洗设备反复清洗得到石

具有铬遮光层的钼硅PSM掩模基板（mask英衬底，确保只有5μm以下的颗粒缺陷。

blank）及掩模版（photomask）在光刻工艺中广泛实验主要分成三部分：

应用，尤其28~90nm工艺。PSM掩模的曝光范围、（1）设计清洗方案，探究不同工艺对表面颗粒

线宽均匀性以及光刻剖面形貌要优于BIM掩模。缺陷的去除能力，以获取表面洁净程度择优的表面。

膜层的颗粒缺陷直接决定掩模基板的使用精度，膜（2）选择不同清洗工艺下的样品，在SP-C镀

应力则是决定掩模基板膜强度、粘附性能和使用寿膜机用反应磁控溅射法沉积钼硅膜（温度200℃，

命的重要指标。掩模基板衬底的缺陷控制精度直接厚度86nm），判断清洗工艺对膜应力的影响。

决定最终产品的使用精度。在半导体行业中，掩模（3）以照射时间为变量，研究其对膜应力的影

版光刻时一般按照2~5倍缩放，即光刻90nm工艺响，探究UV照射对衬底的改性作用。

对应掩模基板的缺陷范围在0.3μm，超过0.3μm2.1清洗工艺与颗粒去除

即有失效的可能，因此有必要对0.3μm以上颗粒本实验中湿法清洗形式为SPIN清洗，配合电

的去除进行研究；另外，钼硅PSM膜溅镀工艺很子级98%浓硫酸，1‰浓度氢氟酸；干法清洗包括

关键，不同衬底清洗工艺对膜强度等的影响的公开UV光照、plasma轰击、UV的照射。

报道较少。清洗工艺如表1所示，清洗用水均为纯水。

本文研究了不同清洗工艺去对衬底颗粒缺陷的颗粒缺陷评估用LAZIN颗粒检测仪，测量精

去除效果及其对钼硅膜强度的影响，并对其中的关度为0.1μm。其工作原理是用激光束照射样品，

键因素进行择优性尝试，为实际生产中选择合适的设备通过分析颗粒的散射光的强度和模式来确定颗

清洗工艺改善缺陷数量及膜强度提供参考。粒的分布和大小。

2.2清洗工艺与膜应力

2实验描述清洗后的样品溅镀钼硅膜，并测试镀膜前后平

面度，根据平面度变化来评估膜应力和膜强度的

本实验使用的Q