单晶硅衬底对Si-Al合金中块体硅生长的影响.docxVIP

HotWorkingTechnology2022,Vol.51,No.7參#造技术籲

HotWorkingTechnology2022,Vol.51,No.7

參#造技术籲

单晶硅衬底对Si-Al合金中块体硅生长的影响

张鸣 BensonKihonoNjuguna,谭毅，李佳艳

(大连理工大学材料科学与工程学院，辽宁大连116024)

摘要：硅与合金熔体的分离及合金元素的回收再利用一直是限制Si-Al合金凝固精炼工艺进一步应用的关键问题。本文采用温度梯度区域熔炼方法在Si-Al合金中生长块体硅。通过在合金熔体的底部引人单晶硅衬底，研究单晶衬底对于块体硅生长的形貌及杂质分布的影响。结果表明，单晶硅衬底的添加降低了合金熔体的温度梯度，块体硅以平直界面向上生长，生长速率明显变慢。在温度梯度2.4K/mm和生长时间240tnin时，块体硅的生长速率由石墨坩埚上的0.108pm/s下降至Si(100)衬底上的0.075ixm/s。在相同的温度梯度和生长时间内，块体硅在Si(100)衬底上的生长速率明显快于Si(lll)衬底。单晶硅衬底在块体硅生长过程中起到籽晶的作用。

关键词：Si-Al合金；单晶硅衬底；类单晶硅

DOI:10.14158/j.cnki.1001-3814.中图分类号：TG24 文献标识码A 文章编号：1001-3814(2022)07-0066-06

EffectofSingleCrystalSiliconSubstrateonBulkSiliconGrowthinSi-AlAlloy

ZHANGMing,BensonKihonoNjuguna,TANYi,LIJiayan

(SchoolofMaterialsScienceandEngineering,DalianUniversityofTechnology,Dalian116024,China)

Abstract：Theseparationofsiliconfromalloymelt,andtherecoveryandreuseofalloyelementsarekeyissueslimiting

thefurtherapplicationofSi-Alalloysolidificationrefiningprocess.ThetemperaturegradientzonemeltingmethodwasusedforthegrowthofbulksiliconinSi-Alalloy.Byintroducingasinglecrystalsiliconsubstrateatthebottomofthealloymelt,theinfluenceonthemorphologyofbulksilicongrowthandimpuritydistributionwasstudied.Theresultsshowthattheadditionofasinglecrystalsiliconsubstratereducesthetemperaturegradientofthealloymelt,bulksilicongrowsupwithastraightinterface,andthegrowthrateissignificantlyslower.Whenthetemperaturegradientis2.4K/mmandthegrowthtimeis240

min,thegrowthrateofbulksilicondec