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第40卷第3期成摇都摇信摇息摇工摇程摇大摇学摇学摇报Vol.40No.3
摇
2025年6月摇摇摇摇摇摇摇摇摇JOURNALOFCHENGDUUNIVERSITYOFINFORMATIONTECHNOLOGY摇摇摇摇摇摇摇摇摇Jun.2025
文章编号:2096鄄1618(2025)03鄄0273鄄05
一种基于三线圈变压器耦合的双核CMOS压控振荡器
1,21,2
廖星月,摇郭本青
(1.成都信息工程大学通信工程学院,四川成都610225;2.集成计算与芯片安全协同创新中心,四川成都610225)
摇摇摘要:提出一种低相位噪声压控振荡器(VCO)拓扑结构。基于三线圈变压器耦合,保持振荡器工作在F类的低
噪声模式;三线圈变压器的耦合,又在尾电流晶体管源极处形成噪声循环结构以实现晶体管噪声的降低;VCO又由单
核扩展到双核,实现相位噪声的进一步降低。此外,变压器三线圈耦合结构不仅用于pMOS尾电流晶体管电流控制,
还可消除传统共源结构的共模寄生电容,避免共模振荡。基于标准TSMC65nmCMOS工艺,使用ADS和Cadence
Spectre鄄RF联合协同仿真,设计实现了14.5GHz的双核VCO电路。模拟结果表明,在1MHz偏移下得到的相位噪声为
2
-123.6dBc/Hz,FoM为191dBc/Hz。电路核心面积为0.06mm,在1.2V电源电压供给下,电流消耗为30.75mA。
关摇键摇词:三线圈变压器;双核;相位噪声;噪声循环;压控振荡器
中图分类号:TP301.6摇摇摇摇摇摇文献标志码:A
doi:10.16836/ki.jcuit.2025.03.003
0摇引言相位噪声在内部循环;阻性连接实现单核到多核的扩
展,进一步改善相位噪声。提出的结构显著提高了有
压控振荡器作为信号源的核心电路,有为收发机
源器件的相位噪声贡献和FoM,同时没有损害其他关
电路提供本振信号的作用和作为数字电路时钟的功
键性能。
能。因此对压控振荡器的输出频谱纯净度要求极高,
否则将会导致发射泄露,甚至可能影响收发机的信噪
1摇VCO
比。因此,对于如今的高频率波段,压控振荡器的设计
面临着巨大的设计和生产挑战。传统噪声滤波技术通
[1]1.1摇单核VCO
过增加电感和限制调谐范围来增强相位噪声。而C
类VCO实现了高效的直流到基频的转换,实现高
单核VCO结构如图1所示,采用一个三线圈变压
[2]
FoM,但往往在启动条件上存在折中。此外,一种
器;一对nMOS和一对pMOS晶体管(M、M)的
BiCMOS串联谐振VCO,展示了最低的相位噪声,但缺N1/2P1/2
源极被连接形成一个噪声循环拓扑结构;两个4位开
点是高功耗(600mW),使其在低功耗应用中变得不
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