第2讲 半导体基础知识 二极管改.pptVIP

半导体二极管图片第30页，共51页，星期日，2025年，2月5日第31页，共51页，星期日，2025年，2月5日第32页，共51页，星期日，2025年，2月5日3.2.1二极管的常见结构将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。点接触型：结面积小，结电容小故结允许的电流小最高工作频率高面接触型：结面积大，结电容大故结允许的电流大最高工作频率低平面型：结面积可小、可大小的工作频率高大的结允许的电流大第33页，共51页，星期日，2025年，2月5日3.2.2二极管的伏安特性

二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性材料开启电压导通电压反向饱和电流硅Si0.5V0.5~0.8V1μA以下锗Ge0.1V0.1~0.3V几十μA开启电压反向饱和电流击穿电压温度的电压当量第34页，共51页，星期日，2025年，2月5日从二极管的伏安特性可以反映出：

1.单向导电性2.伏安特性受温度影响T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓→反向饱和电流IS↑，U(BR)↓T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移正向特性为指数曲线反向特性为横轴的平行线第35页，共51页，星期日，2025年，2月5日3.2.3二极管的主要参数最大整流电流IF：二极管长期运行时允许的最大平均电流最大反向工作电压UR：未击穿时最大瞬时值反向电流IR：即IS，二极管未击穿时的反相电流。最高工作频率fM：因PN结有电容效应结电容为扩散电容（Cd）与势垒电容（Cb）之和。扩散路程中电荷的积累与释放空间电荷区宽窄的变化有电荷的积累与释放结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！第36页，共51页，星期日，2025年，2月5日3.2.4二极管的等效电路

1.将伏安特性折线化理想二极管近似分析中最常用理想开关导通时UD＝0截止时IS＝0导通时UD＝Uon截止时IS＝0导通时i与u成线性关系应根据不同情况选择不同的等效电路！第37页，共51页，星期日，2025年，2月5日3.2.4二极管的等效电路（续）Q越高，rd越小。当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。ui=0时直流电源作用小信号作用静态电流2.微变等效电路第38页，共51页，星期日，2025年，2月5日第2讲半导体基础知识二极管改第1页，共51页，星期日，2025年，2月5日第三章教学要求重点与难点1、了解半导体的特性；2、了解PN结的载流子运动，理解PN结的工作原理；3、理解二极管的单向导电性，掌握二极管的外特性，在实际应用中正确选择二极管的参数；4、了解特殊二极管的外特性及应用。重点：PN结的单向导电性，二极管的外特性及其应用电路。难点：PN结的工作原理，载流子运动。第2页，共51页，星期日，2025年，2月5日本次课教学要求1、了解半导体的特性；2、了解PN结的载流子运动，理解PN结的工作原理；3、理解二极管的单向导电性；4、掌握二极管的外特性，在实际应用中正确选择二极管的参数。第3页，共51页，星期日，2025年，2月5日第3章半导体二极管及其基本应用电路3.1半导体基础知识3.2半导体二极管及其基本应用电路3.3稳压二极管及其基本应用电路3.4发光二极管及其基本应用举例第4页，共51页，星期日，2025年，2月5日3.1半导体基础知识根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体材料元素：硅Si和锗Ge化合物：砷化镓GaAs等。电阻率：导体10－6～10－4Ω.cm绝缘体1010～1022Ω.cm半导体10－3～109Ω.cm第5页，共51页，星期日，2025年，2月5日3.1半导体基础知识（续）3.1.1本征半导体本征半导体——化学成分纯净的晶格结构完整半导体，它在物理结构上呈单晶体形态。第6页，共51页，星期日，2025年，2月5日1、半导体的共价键结构硅晶体的空间排列第7页，共51页，星期日，2025年，2月5日硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构（平面示意图P43图3.1.1）1、半导体的共价键结构（续）第8页，共51页，星期日，2025年，2月5日空穴——共价键中的空位。电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依