半导体器件与工艺.ppt

n型半导体：主要电子导电，有少量空穴P型半导体：主要空穴导电，有少量电子多子：多数载流子 n型半导体：电子 p型半导体：空穴少子：少数载流子 n型半导体：空穴 p型半导体：电子晶格热振动产生电子跃迁：产生电子－空穴对复合：导带电子落入价带空能级热平衡时，电子、空穴浓度维持不变半导体中少子和多子的平衡（一个基本的载流子统计规律）热平衡：无光照、PN结注入等*第29页，共55页，星期日，2025年，2月5日本征载流子浓度：n=p=ninp=ni2 ni与禁带宽度和温度有关本征载流子本征半导体：没有掺杂的半导体本征载流子：本征半导体中的载流子载流子来源：电子－空穴对的产生载流子浓度电子浓度n,空穴浓度p*第30页，共55页，星期日，2025年，2月5日非本征半导体的载流子在非本征情形:热平衡时:N型半导体：n大于pP型半导体：p大于n*第31页，共55页，星期日，2025年，2月5日电中性条件:正负电荷之和为0p+Nd–n–Na=0施主和受主可以相互补偿p=n+Na–Ndn=p+Nd–Na*第32页，共55页，星期日，2025年，2月5日n型半导体：电子n?Nd 空穴p?ni2/Ndp型半导体：空穴p?Na 电子n?ni2/Na*第33页，共55页，星期日，2025年，2月5日非平衡载流子由于受外界因素如光、电的作用，半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布，称这些偏离平衡分布的载流子为非平衡(过剩)载流子公式不成立外界因素撤除后，过剩载流子复合*第34页，共55页，星期日，2025年，2月5日费米能级费米能级：反映电子填充能带到什么水平：电子统计规律的一个基本概念从重掺杂P型到重掺杂N型半导体，填进能带的电子逐渐增多，费米能级逐渐增高费米能级画到能带图中，反映电子填充能带情况，不代表电子的量子态费米能级以下基本填满电子费米能级在禁带中央：本征费米能级在禁带上半部：N型费米能级在禁带下半部：P型Ef反映了电子的占据情况，是系统的化学势*第35页，共55页，星期日，2025年，2月5日载流子的统计分布函数费米－狄拉克分布量子的统计分布玻尔兹曼分布经典粒子的统计分布E-Ef大于几个kT时简化形式热平衡时电子占据能级E的几率*第36页，共55页，星期日，2025年，2月5日载流子的输运载流子输运形成电流漂移运动扩散运动….非平衡情况下*第37页，共55页，星期日，2025年，2月5日载流子的输运漂移电流迁移率?电阻率?单位电场作用下载流子获得平均速度反映了载流子在电场作用下输运能力载流子的漂移运动：载流子在电场作用下的运动引入迁移率的概念迁移率：电子和空穴不同掺杂浓度影响温度影响.….*第38页，共55页，星期日，2025年，2月5日载流子在运动过程中，与晶格、杂质、缺陷发生碰撞，无规则地改变运动方向，发生散射；经历一次散射载流子丧失了原有定向运动速度载流子的平均漂移速度等于载流子在两次散射之间电场力加速获得的平均速度平均自由运动时间（平均弛豫时间）影响迁移率的因素：有效质量平均弛豫时间*第39页，共55页，星期日，2025年，2月5日RuHuang,ime,PKU*第1页，共55页，星期日，2025年，2月5日半导体器件IC的基础数字集成电路建库等模拟集成电路、射频集成电路设计侧重工作原理、特性分析、模型*第2页，共55页，星期日，2025年，2月5日半导体器件方面的课程内容预备知识：半导体物理半导体器件主要组成模块：PN结——BJT金属－半导体接触MIS结构——MOSFET异质结超晶格、量子阱等BJT器件MOSFET基础：原理、特性、模型长沟MOSFET短沟MOSFET*第3页，共55页，星期日，2025年，2月5日半导体器件方面的课程内容(续)器件发展趋势scalingdown：roadmapbottomupnon-classicalMOSFETs衬底：SOICMOS器件栅，S/D，沟道新工作机制*第4页，共55页，星期日，2025年，2月5日半导体及其基本特性*第5页，共55页，星期日，2025年，2月5日