模拟电路.半导体基础知识讲课文档.pptVIP

内电场少子的漂移运动P型半导体N型半导体内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。扩散的结果使空间电荷区变宽。－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－空间电荷区P(N)区中同类载流子浓度差多子的扩散产生空间电荷区（内电场）促进少子漂移扩散与漂移运动达到态平衡时，PN结形成阻止第30页，共40页。PN结的形成过程对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结(0.5μm~0.75mm),也称耗尽层,阻挡层,势垒区,内电场区,离子区。第31页，共40页。因浓度差?空间电荷区形成内电场?内电场促使少子漂移?内电场阻止多子扩散多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。平衡PN结中扩散电流和漂移电流大小相等而方向相反，所以无外加电场或其他激发因素时，PN结中没有电流。多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区?小结第32页，共40页。考虑外加电压于PN结上，根据外加电压的极性有两种情况PN结加正向偏置电压（正偏）：PN结加正向电压时的导电情况2PN结的特点外加电压使内电场减小以致阻挡层变窄多子形成的扩散电流增加漂移电流减小从电源正极有流入P区的正向电流P区接电源正极第33页，共40页。PN结加反向电压时的导电情况由于在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。N区接电源正极外加电压使内电场增加以致阻挡层加宽扩散电流进一步减小趋于零少子形成的漂移电流居支配地位从电源正极有流入N区的很小的反向电流2PN结加反向偏置电压（反偏）：第34页，共40页。PN结正偏时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻；PN结导通PN结反偏时，仅有很小的反向漂移电流，呈现高电阻。PN结截止∴PN结具有单向导电性。结论第35页，共40页。3PN结V-I特性（伏安特性）表达式习惯:P(+),N(-)为参考方向PN结的伏安特性门坎电压(死区电压Vth)：导通、未导通的分界；导通条件：V＞Vth；(与材料有关,Si:0.5V,Ge:0.1V)导通后特征(Si)：0.6~0.8V,约0.7V左右(具体由实测或计算机仿真);截止条件:VVth;(对内电场克服不够)截止后特征:电流几乎为0。第36页，共40页。其中:PN结的伏安特性IS——反向饱和电流。反向截止的少子电流，越小越好，与温度变化有关VT——温度的电压当量常温下（T=300K）：vD——PN结外加电压可推知：PN结加正压，VD≈0.7V，PN结加反压，VD为负值，若比大几倍时,。可见,反向电流是个常数，不随外加反向电压的大小而变动。第37页，共40页。第1页，共40页。4.学习方法特点是将电路理论扩展到包含有源器件（晶体管、场效应管、集成运放等）的电子电路中。重点掌握基本概念、基本电路、基本方法。抓住“模电”的几个特点，可以事半功倍：5.参考书康华光主编，《模拟电子技术基础》第二版，高教出版社陈大钦主编，《模拟电子技术基础学习与解题指南》，华工出版社?线性要求和非线性器件的矛盾（概念、分析方法）?器件少、电路多（找出各电路之间的规律，可举一反三）?工程估算(工程上简化分析的条件与处理方法,10%准则)④分立是基础、集成是应用6.教学计划理论学时48实验学时16学时:总学时64第2页，共40页。目录第一章常用半导体器件第二章基本放大电路第三章多级放大电路第四章集成运算放大电路第五章放大电路的频率响应第六章放大电路中的反馈第七章信号的运算和处理第八章信号的发生和信号的转换第九章功率放大电路第十章直流电源