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存算一体新型忆阻器设计与类脑特性调控研究
摘要
随着大数据、人工智能、物联网等技术的兴起，传统硅基计算平台在数据处理的
能效和速度上遭遇严重挑战。忆阻器作为一种新型神经形态器件，具有结构简单、高
速、CMOS兼容性以及易于集成等优势，成为构建存算一体器件及系统的理想选择。
目前，基于忆阻器的存算一体技术研究主要面临忆阻器结构设计、类脑特性亟待提升、
存算一体电路系统构建与安全应用等重大挑战。实现具有优异的类脑特性忆阻器的核
心是开发理想的功能层材料，特别是在纳米尺度设计具有独特离子迁移通
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