原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
第1页，共11页，星期日，2025年，2月5日3.2晶体生长半导体材料都是由构成其成分的原子规律排列而成，通常把这种原子规律排列而成的材料称为单晶。而它是由大块的具有多晶结构和未掺杂的本征材料生长得来的。把多晶块转变成一个大单晶，并给予正确的定向和适量的N型或P型掺杂，叫做晶体生长。有三种不同的生长方法：直拉法区熔法液体掩盖直拉法第2页，共11页，星期日，2025年，2月5日3.2.1直拉法大部分的单晶都是通过直拉法生长的。生产过程如图所示。特点：工艺成熟，能较好地拉制低位错、大直径的硅单晶。缺点是难以避免来自石英坩埚和加热装置的杂质污染。第3页，共11页，星期日，2025年，2月5日3.2.2液体掩盖直拉法此方法主要用来生长砷化镓晶体，和标准的直拉法一样，只是做了一些改进。由于熔融物里砷的挥发性通常采用一层氧化硼漂浮在熔融物上来抑制砷的挥发。故得其名，如图所示。第4页，共11页，星期日，2025年，2月5日3.2.3区熔法主要用来生长低氧含量的晶体，但不能生长大直径的单晶，并且晶体有较高的位错密度。这种工艺生长的单晶主要使用在高功率的晶闸管和整流器上，生长系统如图所示。第5页，共11页，星期日，2025年，2月5日几种工艺的比较第6页，共11页，星期日，2025年，2月5日3.3晶体缺陷及对器件质量的影响缺陷主要有：点缺陷位错(原生的和诱生的)点缺陷主要来源于晶体内杂质原子的挤压晶体结构引起的应力所产生的缺陷，还有就是空位(晶格点阵缺少原子所制)。如图所示位错位错是单晶内部一组晶胞排错位置所制(如图所示)..原生位错是晶体中固有的位错，而诱生位错是指在芯片加工过程中引入的位错，其数量远远大于原生位错。产生的原因大致可分为三个方面第7页，共11页，星期日，2025年，2月5日高温工艺过程引入的位错掺杂过程中引入的位错薄膜制备过程中引入的位错无论是天生的还是诱生的缺陷对器件特性都是不利的，因此在芯片制造过程中都应该尽量避免。第8页，共11页，星期日，2025年，2月5日
文档评论（0）