半导体敏磁传感器 .pptVIP

求解得：第28页，共40页，星期日，2025年，2月5日传感器原理与应用——第七章第4章磁敏传感器第4章第*页共157页第1页，共40页，星期日，2025年，2月5日简介磁敏式传感器都是利用半导体材料中的自由电子或空穴随磁场改变其运动方向这一特性而制成。按其结构可分为体型和结型两大类。体型的有霍尔传感器，其主要材料InSb(锑化铟)、InAs（砷化铟）、Ge（锗）、Si、GaAs等和磁敏电阻InSb、InAs。结型的有磁敏二极管(Ge、Si)，磁敏三极管(Si)应用范围可分为模拟用途和数字用途。第2页，共40页，星期日，2025年，2月5日7.1霍尔传感器7.1.1霍尔效应霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。第3页，共40页，星期日，2025年，2月5日7.1.1霍尔效应有一如图所示的半导体薄片，若在它的两端通以控制电流I，在薄片的垂直方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在薄片的另两侧面会产生与I和B的乘积成比例的电动势UH（霍尔电势或称霍尔电压）。这种现象就称为霍尔效应。控制电极控制电流霍尔电极第4页，共40页，星期日，2025年，2月5日图7-1霍尔效应UHbldIFLFEvB7.1.1霍尔效应是半导体中的自由电荷在磁场中受到洛伦兹力作用而产生的。第5页，共40页，星期日，2025年，2月5日所以，霍尔电压UH可表示为UH=EHb=vBb(7-3)设霍尔元件为N型半导体，当它通电流I时FL=qvB(7-1)当电场力与洛仑兹力相等时，达到动态平衡，这时有qEH=qvB故霍尔电场的强度为EH=vB（7-2）第6页，共40页，星期日，2025年，2月5日流过霍尔元件的电流为I=dQ/dt=bdvnq得：v=I/nqbd(7-4)所以：UH=BI/nqd若取RH=1/nq则RH被定义为霍尔元件的霍尔系数。它反映材料霍尔效应的强弱。第7页，共40页，星期日，2025年，2月5日设KH即为霍尔元件的灵敏度，它表示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小.单位是mV/（mA·T）第8页，共40页，星期日，2025年，2月5日霍尔电压的大小决定于载流体中电子的运动速度，它随载流体材料的不同而不同。料中电子在电场作用下运动速度的大小常用载流子迁移率来表征，即在单位电场强度作用下，载流子的平均速度值。即所以而第9页，共40页，星期日，2025年，2月5日比较得或结论：①如果是P型半导体，其载流子是空穴，若空穴浓度为p，同理可得第10页，共40页，星期日，2025年，2月5日②霍尔电压UH与材料的性质有关。③霍尔电压UH与元件的尺寸有关。④霍尔电压UH与控制电流及磁场强度有关。材料的ρ、μ大，RH就大。金属的μ虽然很大，但ρ很小，故不宜做成元件。在半导体材料中，由于电子的迁移率比空穴的大，且μnμp，所以霍尔元件一般采用N型半导体材料。第11页，共40页，星期日，2025年，2月5日7.1.2霍尔元件的构造及测量电路基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件，霍尔元件多采用N型半导体材料。霍尔元件越薄(d越小)，kH就越大。霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成，如图所示。第12页，共40页，星期日，2025年，2月5日霍尔片是一块半导体单晶薄片(一般为4mm×2mm×0.1mm)，它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，通常用红色导线，其焊接处称为控制电极；在它的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线，其焊接处称为霍尔电极。第13页，共40页，星期日，2025年，2月5日2