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iCuCEQ温度升高时,输出特性曲线上移Q′固定偏置电路的工作点Q点是不稳定的,为此需要改进偏置电路。当温度升高使IC增加时,能够自动减少IB,从而抑制Q点的变化,保持Q点基本稳定。结论:当温度升高时,IC将增加,使Q点沿负载线上移,容易使晶体管T进入饱和区造成饱和失真,甚至引起过热烧坏三极管。O第61页,共104页,星期日,2025年,2月5日分压式偏置放大电路1.稳定Q点的原理基极电位基本恒定,不随温度变化。VBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB++++UCCuiuo++––ICRSeS+–*第62页,共104页,星期日,2025年,2月5日分压式偏置放大电路1.稳定Q点的原理VB集电极电流基本恒定,不随温度变化。RB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB++++UCCuiuo++––ICRSeS+–*第63页,共104页,星期日,2025年,2月5日从Q点稳定的角度来看似乎I2、VB越大越好。但I2越大,RB1、RB2必须取得较小,将增加损耗,降低输入电阻。而VB过高必使VE也增高,在UCC一定时,势必使UCE减小,从而减小放大电路输出电压的动态范围。在估算时一般选取:I2=(5~10)IB,VB=(5~10)UBE,RB1、RB2的阻值一般为几十千欧。参数的选择VEVBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB++++UCCuiuo++––ICRSeS+–第64页,共104页,星期日,2025年,2月5日Q点稳定的实质VEVBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB++++UCCuiuo++––ICRSeS+–TUBEIBICVEICVB固定RE:温度补偿电阻对直流:RE越大,稳定Q点效果越好;对交流:RE越大,交流损失越大,为避免交流损失加旁路电容CE。晶体管的输入特性曲线决定IBUBEO第65页,共104页,星期日,2025年,2月5日静态工作点的计算估算法:VBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB++++UCCuiuo++––ICRSeS+–*第66页,共104页,星期日,2025年,2月5日动态分析对交流:旁路电容CE将RE短路,RE不起作用,Au,ri,ro与固定偏置电路相同。如果去掉CE,Au,ri,ro?旁路电容RB1RCC1C2RB2CERERL++++UCCuiuo++––RSeS+–*第67页,共104页,星期日,2025年,2月5日RB1RCC1C2RB2CERERL++++UCCuiuo++––RSeS+–去掉CE后的微变等效电路短路对地短路如果去掉CE,Au,ri,ro?rbeRBRCRLEBC+-+-+-RSRE第68页,共104页,星期日,2025年,2月5日无旁路电容CE有旁路电容CEAu减小分压式偏置电路ri提高ro不变第69页,共104页,星期日,2025年,2月5日对信号源电压的放大倍数?信号源考虑信号源内阻RS时RB1RCC1C2RB2CERERL++++UCCuiuo++––RSeS+–第70页,共104页,星期日,2025年,2月5日例1:在图示放大电路中,已知UCC=12V,RC=6kΩ,RE1=300Ω,RE2=2.7kΩ,RB1=60kΩ,RB2=20kΩRL=6kΩ,晶体管β=50,UBE=0.6V,试求:(1)静态工作点IB、IC及UCE;(2)画出微变等效电路;(3)输入电阻ri、ro及Au。RB1RCC1C2RB2CERE1RL++++UCCuiuo++––RE2第71页,共104页,星期日,2025年,2月5日解:(1)由直流通路求静态工作点。直流通路RB1RCRB2RE1+UCCRE2+–UCEIEIBICVB*第72页,共104页,星期日,2025年,2月5日(2)由微变等效电路求A
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