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半导体器件的干法刻蚀技术考核试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.下列哪一项不属于干法刻蚀技术的分类？

A.反应离子刻蚀（RIE）

B.电感耦合等离子体刻蚀（ICP）

C.等离子体增强化学蚀刻（PECVD的刻蚀过程）

D.热氧化

2.在反应离子刻蚀（RIE）过程中，离子主要通过哪种方式轰击衬底，从而引发刻蚀？

A.等离子体热传导

B.化学反应扩散

C.离子物理轰击

D.气体分子碰撞

3.提高反应离子刻蚀（RIE）中RF板（上电极）的偏压，通常会带来什么主要影响？

A.增加等离子体密度

B.降低离子能量，刻蚀速率减慢

C.增加离子能量，刻蚀各向异性增强

D.减少反应气体转化率

4.电感耦合等离子体刻蚀（ICP）与传统的RIE相比，其主要优势之一是能够产生：

A.更低的反应腔体温度

B.更低的刻蚀速率

C.更低的等离子体密度

D.更少的刻蚀副产物

5.刻蚀选择比是指：

A.刻蚀速率与气体流速的比值

B.被刻蚀材料去除量与刻蚀停止时保护材料去除量的比值

C.等离子体功率与RF板偏压的比值

D.刻蚀均匀性随时间的变化率

6.以下哪种材料通常使用高选择比的干法刻蚀工艺来进行精细图形的定义？

A.多晶硅

B.硅氮化物（Si?N?）

C.铝金属

D.硅氧化物（SiO?）

7.在干法刻蚀过程中，影响刻蚀均匀性的一个重要因素是：

A.蚀刻剂化学计量比

B.等离子体中活性粒子分布不均

C.衬底温度恒定

D.刻蚀速率过快

8.以下哪种缺陷通常是由于刻蚀等离子体对被刻蚀图形侧壁的轰击造成的？

A.过刻蚀（Under-etching）

B.针孔（Pinhole）

C.侧壁腐蚀（SideWallEtch,SWE）

D.刻蚀不均

9.为了提高干法刻蚀中特定材料的刻蚀速率，通常会采取的措施之一是：

A.降低反应气体压力

B.增加惰性气体（如Ar）的流量

C.提高衬底温度

D.降低等离子体功率

10.干法刻蚀技术相比湿法刻蚀，其主要优势在于：

A.成本更低，设备更简单

B.能处理更复杂的材料，选择比更高，可实现更精细的图形

C.刻蚀速率更快

D.对环境污染更小

二、填空题（每空1分，共15分）

1.干法刻蚀主要利用________、________和________共同作用来实现材料的去除。

2.在反应离子刻蚀（RIE）中，通过________和________相结合的方式，使离子获得足够的能量轰击衬底。

3.电感耦合等离子体（ICP）系统通常包含高频________电源、________耦合结构和________电源。

4.刻蚀的选择比定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与________材料刻蚀速率的比值。

5.影响干法刻蚀刻蚀速率的主要工艺参数包括________、________、________、________和衬底温度。

6.为了获得陡峭的侧壁，需要提高刻蚀的________性。

7.在干法刻蚀中，________是指刻蚀速率沿晶圆表面的空间变化程度。

8.等离子体诊断技术（如________、________）可以用来测量等离子体的重要参数。

9.对于SiO?的干法刻蚀，常用的反应气体体系之一是________与________的混合物。

10.干法刻蚀在半导体制造中广泛应用于________孔、________层刻蚀、________沟道刻蚀等。

三、简答题（每题5分，共20分）

1.简述反应离子刻蚀（RIE）的基本工作原理。

2.比较反应离子刻蚀（RIE）和电感耦合等离子体刻蚀（ICP）在等离子体特性和工作方式上的主要区别。

3.列举并简要说明影响干法刻蚀均匀性的三个主要因素。

4.什么是干法刻蚀的选择比？低选择比和高选择比分别适用于哪些情况？

四、论述题（每题10分，共30分）

1.试述等离子体物理特性（如电子温度、离子密度）对干法刻蚀过程（刻蚀速率、选择比、均匀性）的影响。

2.以一种具体材料（如SiO?或多晶硅）为例，设计一个其干法刻蚀工艺方案，并说明选择主要工艺参数（如气体、压力、功率、温度）的理由。

3.分析干法刻蚀过程中可能产生的几种典型