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第一章双极型半导体器件*第1页，共37页，星期日，2025年，2月5日第一章双极型半导体器件§1.1半导体的基本知识§1.2PN结§1.3半导体二极管§1.4特殊二极管§1.5半导体三极管下一页上一页首页*第2页，共37页，星期日，2025年，2月5日1.1.1导体、半导体和绝缘体导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体，如铁、铜、铝等。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。半导体的导电机理不同于其它物质，其特点为：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。往纯净半导体中掺入某些杂质，会使其导电能力明显改变。§1-1半导体的基本知识下一页上一页首页*第3页，共37页，星期日，2025年，2月5日1.1.2本征半导体GeSi在绝对零度以下，本征半导体中无活跃载流子，不导电用的最多的半导体是硅和锗，最外层电子（价电子）都是四个。本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。形成共价键后，每个原子最外层电子是八个，构成稳定结构。+4+4+4+4共价键结构束缚电子下一页上一页首页*第4页，共37页，星期日，2025年，2月5日1.1.3杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。P型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼(或铟)而形成，也称为（空穴半导体）。N型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑）而形成。也称为（电子半导体）。+4+4+5+4多余电子磷原子++++++++++++++++++++++++N型半导体N型半导体中的载流子是什么？自由电子为多数载流子（多子）空穴称为少数载流子（少子）++++++++++++++++++++++++N型半导体自由电子为多子空穴是多子－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。下一页上一页首页*第5页，共37页，星期日，2025年，2月5日P型半导体N型半导体扩散运动内电场E漂移运动扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。空间电荷区，也称耗尽层。§1.2PN结2.1.1PN结的形成－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。*第6页，共37页，星期日，2025年，2月5日1.2.2PN结的单向导电性PN结外加正向电压：P区接正、N区接负电压PN结加上反向电压：P区加负、N区加正电压PNPN内电场外电场变薄结论：PN结导通内电场外电场变厚结论：PN结截止下一页上一页首页*第7页，共37页，星期日，2025年，2月5日§1.3半导体二极管一、基本结构PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。引线外壳线触丝线基片点接触型PN结面接触型PN二极管的电路符号：1.3PN二、伏安特性UI死区电压硅管0.6V,锗管0.2V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压UBR下一页上一页首页*第8页，共37页，星期日，2025年，2月5日三、主要参数1.最大整流电流IOM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.反向击穿电压UBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。1.3下一页上一页首页*第9页，共37页，星期日，2025年，2月5日3.反