第1章半导体材料及二极管.pptVIP

图1.28钳位电路原理分析图1.29钳位电路的波形试找出图中的错误第30页，共54页，星期日，2025年，2月5日1.3.5稳压管及其应用1.稳压管的伏安特性图1.30稳压管伏安特性曲线及电路符号第31页，共54页，星期日，2025年，2月5日稳定电压最小稳定电流最大稳定电流动态电阻电压温度系数2.稳压管的主要参数第32页，共54页，星期日，2025年，2月5日3.稳压管电路图1.32稳压管稳压电路第33页，共54页，星期日，2025年，2月5日1）稳压原理图1.33稳压管电路原理分析试分析稳压原理问题：还有其他的分析方法吗？第34页，共54页，星期日，2025年，2月5日2）限流电阻R的选取稳压管正常工作范围：可以求得：第35页，共54页，星期日，2025年，2月5日例1.3采用的Si稳压管2DW3的稳压电路如图1.34所示。如果输入电压的波动，试问输出电压的波动图1.34第36页，共54页，星期日，2025年，2月5日解：图1.35稳压电路模型及增量等效模型第37页，共54页，星期日，2025年，2月5日输入电压的变化量为：输出电压的变化量为：输出电压的相对变化量为：第38页，共54页，星期日，2025年，2月5日第1章半导体材料及二极管第1页，共54页，星期日，2025年，2月5日1.3晶体二极管及其应用二极管的核心是一个PN结。图1.11二极管的结构和电路符号第2页，共54页，星期日，2025年，2月5日1.3.1晶体二极管的伏安特性二极管的伏安特性是指流过二极管中的电流与其端电压之间的关系。（1.16）--加在二极管上的端电压--流过二极管上的电流第3页，共54页，星期日，2025年，2月5日二极管的正偏伏安特性方程:二极管的正向电流随正偏电压的增大呈指数规律增加。1.正偏伏安特性（1.17）第4页，共54页，星期日，2025年，2月5日二极管的反偏伏安特性方程:可见，二极管反向电流不随反向偏压而变化，仅有很小的反向饱和电流。2.反偏伏安特性（1.18）第5页，共54页，星期日，2025年，2月5日图1.12二极管的伏安特性曲线第6页，共54页，星期日，2025年，2月5日当加在二极管上的反偏电压超过某一数值VBR时，反偏电流将急剧增大，这种现象称为二极管的反向击穿图1.13二极管的反向击穿特性3.反向击穿特性第7页，共54页，星期日，2025年，2月5日导致二极管出现反向击穿的原因有下面两种：雪崩击穿齐纳击穿第8页，共54页，星期日，2025年，2月5日4.温度对二极管伏安特性的影响温度对二极管正向特性的影响温度对二极管反向特性的影响图1.14温度对二极管伏安特性的影响第9页，共54页，星期日，2025年，2月5日5.Si二极管与Ge二极管的差别Si二极管的开启电压约0.5-0.6V，Ge二极管的开启电压约0.1-0.2V。Si二极管反向电流比Ge二极管反向电流小得多，Si管是pA量级，Ge管是μA量级。为什么？图1.15Si和Ge两种二极管伏安特性的差别第10页，共54页，星期日，2025年，2月5日1.3.2二极管的直流电阻和交流电阻1.直流电阻静态工作点图1.16二极管的直流电阻第11页，共54页，星期日，2025年，2月5日2.交流电阻说明:交流电阻与直流电流成反比。如何证明？图1.17二极管的交流电阻第12页，共54页，星期日，2025年，2月5日3.二极管的其它主要参数最大平均整流电流最高反向工作电压反向电流最高工作频率第13页，共54页，星期日，2025年，2月5日含二极管电路的分析（非线性伏安关系）代数法：求解非线性方程组几何法：图解法模型法：近似线性法计算复杂，必须借助计算机粗糙，必须知道伏安关系曲线方便，可以利用线性电路分析方法如何模型化？根据伏安关系第14页，共54页，星期日，2025年，2月5日1.3.3二极管模型图1.18二极管模型（a)理想开关模型（b）恒压源模型