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反射损耗反射损耗R反射损耗是由屏蔽体表面处阻抗不连续性引起的。反射损耗R与哪些因素有关呢？下面我们引入波阻抗概念第27页，共62页，星期日，2025年，2月5日波阻抗的概念（前述）377波阻抗电场为主E?1/r3H?1/r2磁场为主H?1/r3E?1/r2平面波E?1/rH?1/r?/2?到观测点距离rE/H电磁波中的电场分量与磁场分量的比值称为波阻抗，定义如下：Zw=E/H距离小于?/??时，称为近场区，大于?/??时称为远场区。波阻抗的值：近场区中，波阻抗小于377，称为低阻抗波，或磁场波。大电流、低电压（辐射源电路的阻抗较低），波阻抗大于377，称为高阻抗波，或电场波。高电压，小电流（辐射源电路的阻抗较高），远场区，波阻抗仅与电场波传播介质有关，空气为377?。第28页，共62页，星期日，2025年，2月5日波阻抗的概念（前述）377波阻抗电场为主E?1/r3H?1/r2磁场为主H?1/r3E?1/r2平面波E?1/rH?1/r?/2?到观测点距离rE/H波阻抗随距离而变化。在近场区内，特定电场波的波阻抗随距离而变化。如果是电场波，随着距离的增加，波阻抗降低，如果是磁场波，随着距离的增加，波阻抗升高。在远场区，波阻抗保持不变。

注意：近场区和远场区的分界面随频率的不同而不同。第29页，共62页，星期日，2025年，2月5日反射损耗的计算R＝20lg反射损耗与波阻抗有关屏蔽材料的阻抗Zs1越低（?r大－良导体），则反射损耗越大；特定的屏蔽材料（Zs一定），被屏蔽的波阻抗ZW越高，则反射损耗越大。?r为磁导率，?r为电导率ZW4ZsZs=3.68?10-7?f?r/?r远场：377?近场：取决于源的阻抗同一种材料的阻抗随频率变化第30页，共62页，星期日，2025年，2月5日反射损耗的计算Zs=屏蔽体阻抗，D=屏蔽体到源的距离（m），f=频率（MHz）,dB远场:R＝20lg3774Zs45002DfDfZsZs电场:R＝20lg磁场:R＝20lg已有于是注意：反射损耗不是将电磁能量损耗掉，而是将其反射到空间。反射的电磁波有可能对其它电路造成影响。特别是当辐射源在屏蔽机箱内时，反射波在机箱内可能会由于机箱的谐振得到增强，对电路造成干扰。第31页，共62页，星期日，2025年，2月5日影响反射损耗的因素R(dB)1500.1k1k10k100k1M10M100M平面波fD=30m电场D=1mD=30m磁场D=1m电场反射损耗磁场反射损耗,当频率升高时，电场和磁场损耗趋向于一致，汇合在平面波的反射损耗数值上。距离电偶极源越近，则反射损耗越大（波阻抗越高）。磁偶极源，则正好相反。频率影响：频率升高时，电场的波阻抗变低，磁场波的波阻抗变高。同时屏蔽材料的阻抗发生变化（变大）。对于平面波，由于波阻抗一定（377?），因此随着频率升高，反射损耗降低。第32页，共62页，星期日，2025年，2月5日吸收损耗入射电磁波E1剩余电磁波E2E2=E1e-t/?A＝20lg(E1/E2)=20lg(et/?)t0.37E0?＝3.34t?f?r?rdB吸收损耗是由电磁波通过屏蔽体所产生的热损耗引起的。材料越厚t，吸收损耗越大；磁导率、电导率和频率越高，吸收损耗越大。吸收损耗与入射电磁场（波）的种类（波阻抗）无关。第33页，共62页，星期日，2025年，2月5日多次反射损耗的计算多次反射损耗是电磁波在屏蔽体内反复碰到壁面所产生的损耗。B=20lg(1-e-2t/?)说明：当吸收损耗较大时（屏蔽体较厚，频率较高），可忽略对于电场波，可以忽略—对于电场波，反射损耗已很大了，进入屏蔽体的能量已经很小了，所以可以忽略。第34页，共62页，星期日，2025