电力电子技术基础器件.pptVIP

第1页，共39页，星期日，2025年，2月5日第二部分电力电子器件6SouthChinaUniversityofTechnology第2页，共39页，星期日，2025年，2月5日电力电子技术基础第二部分电力电子器件——全控型器件门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合——高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管第3页，共39页，星期日，2025年，2月5日1.3可关断晶闸管（GTO）第4页，共39页，星期日，2025年，2月5日电力电子技术第二部分电力电子器件——GTO的特点电力电子技术基础门极可关断晶闸管（Gate-Turn-OffThyristor—GTO）晶闸管的一种派生器件可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用第5页，共39页，星期日，2025年，2月5日电力电子技术第二部分电力电子器件——GTO的结构和工作原理电力电子技术基础结构：与普通晶闸管的相同点：PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极和普通晶闸管的不同：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起第6页，共39页，星期日，2025年，2月5日电力电子技术第二部分电力电子器件——GTO的结构和工作原理电力电子技术基础与普通晶闸管一样，可以用右图所示的双晶体管模型来分析?1+?2=1是器件临界导通的条件。当?1+?21时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通；当?1+?21时，不能维持饱和导通而关断RNPNPNPAGSKEGIGEAIKIc2Ic1IAV1V2P1AGKN1P2P2N1N2a)b)第7页，共39页，星期日，2025年，2月5日电力电子技术第二部分电力电子器件——GTO与普通晶闸管的区别电力电子技术基础GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别：（1）设计?2较大，使晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断（2）导通时?1+?2更接近1（?1.05，普通晶闸管?1+?2?1.15）导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大（3）多元集成结构使GTO元阴极面积很小，门、阴极间距大为缩短，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流第8页，共39页，星期日，2025年，2月5日电力电子技术第二部分电力电子器件——GTO与普通晶闸管的区别电力电子技术基础导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅?关断过程：强烈正反馈——门极加负脉冲即从门极抽出电流，则IG减小，使IK和Ic2减小，Ic2的减小又使IA和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流当IA和IK的减小使?1+?21时，器件退出饱和而关断多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强RNPNPNPAGSKEGIGEAIKIc2Ic1IAV1V2IK=IA+IGIA=Ic1+Ic2Ic1=?1IA+ICBO1Ic2=?2IK+ICBO2第9页，共39页，星期日，2025年，2月5日电力电子技术第二部分电力电子器件——GTO的动态特性电力电子技术基础开通过程：与普通晶闸管类似，需经过延迟时间td和上升时间tr??????第10页，共39页，星期日，2025年，2月5日电力电子技术第二部分电力电子器件——GTO的动态特性电力电子技术基础关断过程：与普通晶闸管有所不同抽取饱和导通时储存的大量载流子——储存时间ts，使等效晶体管退出饱和等效晶体管从饱和区退至放大区，阳极电流逐渐减小——下降时间tf残存载流子复合——尾部时间tt通常tf比ts小得多，而tt比ts要长门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡，抽走储存载流子的速度越快，ts越短门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在tt阶段仍保持适当负电压，则可缩短尾部时间第11页，共39页，星期日，2025年，2月5日电力电子技术第二部分电力电子器件——GTO的主要参数电力