第1章常用的半导体器件.pptVIP

1.4.3晶体三极管的伏安特性曲线输出特性是只在基极电流IB一定的情况下，集电极与发射极之间的电压uCE与集电极电流iC之间的关系，即2.输出特性曲线通常把输出特性曲线分成截止、饱和、放大三个工作区来分析半导体三极管的工作状态。第29页，共47页，星期日，2025年，2月5日1.4.3晶体三极管的伏安特性曲线总结三极管三个工作区的特点，见表1.4.1.表1.4.1晶体管在不同工作状态下的特点第30页，共47页，星期日，2025年，2月5日【例1.4.1】测得工作在放大电路中两个晶体管管脚对地的电位分别如下表所列。试判断管型、电极及所用材料。1.4.3晶体三极管的伏安特性曲线管脚123管脚123电位（V）+4.2+3.6+12电位（V）－6－2.3－2晶体管1晶体管2（1）晶体管1中，3脚电位最高，它是集电极C，且为NPN型管。1脚和2脚之间的电压为0.6V，可确定1脚是基极、2脚是发射极，且为硅管。（2）晶体管2中，1脚电位最低，它是集电极C，且为PNP型管。2脚和3脚之间的电压为0.3V，可确定2脚是基极、3脚是发射极，且为锗管。第31页，共47页，星期日，2025年，2月5日【例1.4.2】在图1.4.6中，给出了实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是硅管还是锗管？处于哪种工作状态？1.4.3晶体三极管的伏安特性曲线（a)(b)(c)图1.4.6例1.4.2图（1）在（a）图中，晶体管为NPN型。因为UBE=0.7V，发射结正偏，为硅管。又因为VB＞VC，集电结也正偏，故工作在饱和状态。第32页，共47页，星期日，2025年，2月5日【例1.4.2】在图1.4.6中，给出了实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是硅管还是锗管？处于哪种工作状态？1.4.3晶体三极管的伏安特性曲线（a)(b)(c)图1.4.6例1.4.2图（2）在（b）图中，晶体管为NPN型。因为UBE=0.3V，发射结正偏，为锗管。又因为VB＜VC，集电结反偏，故工作在放大状态。第33页，共47页，星期日，2025年，2月5日【例1.4.2】在图1.4.6中，给出了实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是硅管还是锗管？处于哪种工作状态？1.4.3晶体三极管的伏安特性曲线（a)(b)(c)图1.4.6例1.4.2图（3）在（c）图中，晶体管为PNP型。因为UBE＝＋0.6－0＝＋0.6V，发射结反偏（PNP型），又因为VB＞VC，集电结也反偏，故工作在截止状态。此时无法判别是硅管还是锗管。第34页，共47页，星期日，2025年，2月5日ICEO=(1+β)ICBO（2）交流电流放大系数β=△IC/△IB（1）直流电流放大系数β=IC/IB1.电流放大系数（1）集电极基极间反向饱和电流ICBO（2）集电极发射极间穿透电流ICEO2.极间反向饱和电流1.4.4晶体三极管的主要参数第35页，共47页，星期日，2025年，2月5日1.4.4晶体三极管的主要参数4.温度对三极管参数的影响3.极限参数（1）集电极最大允许电流ICM（2）集电极最大允许耗散功率PCM（3）集电极击穿电压U(BR)CEO（1）对IEBO、ICBO的影响——温度每升高10℃，ICBO增大一倍。（2）对β的影响——温度每升高1℃，β增加0.5%~1.0%左右（3）对发射结导通电压UBE的影响——温度每升高1℃，│UBE│减小2~2.5mV。第36页，共47页，星期日，2025年，2月5日晶体三极管（BJT）是一种电流控制元件(iB~iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与导电，所以被称为双极型器件。