SiC深度一：先进封装：英伟达、台积电未来的材料之选.pptxVIP

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摘要

根据行家说三代半，9月2日，据中国台湾媒体报道，英伟达正计划在新一代GPU芯片的先进封装环节中采用12英寸碳化硅衬底，最晚将在2027年导入。

?解决CoWoS封装散热问题成为AI算力芯片发展重要课题

根据《高算力Chiplet的热管理技术研究进展》，集成电路发展受到“功耗墙”的严重制约。英伟达和AMD在追求算力大幅提升的情况下，不得不继续提高芯片功率。主流算力芯片基本标配CoWoS封装，尤其英伟达算力芯片全部使用CoWoS封装。因此我们认为AI算力芯片的发展亟需解决CoWoS封装散热的难题。

?SiC有望成为未来CoWoS发展中Interposer最优解

CoWoS核心价值在于interposer（中介层）的连通作用，Interposer当前与未来面临热管理、结构刚性等难题。根据北京大学、Nature等相关论文，当前的Si和玻璃在材料特性上不及SiC与金刚石，而金刚石仍难以匹配芯片制造工艺，因此我们判断，因为SiC在性能与可行性两方面的优势，有望成为未来CoWoSinterposer的最适宜替代材料。;

目录

一、英伟达、台积电考虑使用SiC作为未来先进封装中介层

二、为何英伟达和台积电亟需解决CoWoS散热问题

三、为何SiC成为CoWoSinterposer主要考虑对象

四、为何中国大陆SiC有望重点受益

五、SiC衬底、设备相关企业概况;;;;

目录

一、英伟达、台积电考虑使用SiC作为未来先进封装中介层

二、为何英伟达和台积电亟需解决CoWoS散热问题

三、为何SiC成为CoWoSinterposer主要考虑对象

四、为何中国大陆SiC有望重点受益

五、SiC衬底、设备相关企业概况;;;;;;;

目录

一、英伟达、台积电考虑使用SiC作为未来先进封装中介层

二、为何英伟达和台积电亟需解决CoWoS散热问题

三、为何SiC成为CoWoSinterposer主要考虑对象

四、为何中国大陆SiC有望重点受益

五、SiC衬底、设备相关企业概况;;;;

RDL+Si局部+模Underfill+塑层+LSI Substrate+Substrate;;;;;;;;;;

注：数据源于半导体产业纵横的相关报道;

资料来源：Nature、北京大学、Semianalysis等公开资料整理，华西证券研究所

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其他相关企业

?通威股份

通威集团通过旗下控股子公司通威微电子布局碳化硅赛道。成立于2021年9月的通威微电子，用三年时间实现了业务覆盖6英寸、8英寸导电型碳化硅晶体及衬底片，形成了从粉料合成、晶体生长到衬底加工的完整自主知识产权技术体系。

?天富能源

截至2025年6月30日，天富集团持有天科合达11.62%的股份，为第一大股东，亦是天科合达的控股股东；天富能源持有天科合达9.09%的股份，为第二大股东。

?华纬科技

公司的控股股东浙江华纬在0831投资入股诸暨市晶裕达半导体科技有限公司，占股约9.4%。晶裕达首款研磨减薄抛光(CMP)设备已经完成测试。即将投入8-12寸硅晶圆的14/7/5奈米芯片制程、CoWoS先进封装的晶圆减薄至35微米以下、6-8寸碳化硅(SiC)晶圆与功率芯片制造。;

目录

一、英伟达、台积电考虑使用SiC作为未来先进封装中介层

二、为何英伟达和台积电亟需解决CoWoS散热问题

三、为何SiC成为CoWoSinterposer主要考虑对象

四、为何中国大陆SiC有望重点受益

五、SiC衬底、设备相关企业概况;

投资建议

?解决CoWoS封装散热问题成为AI算力芯片发展重要课题

根据《高算力Chiplet的热管理技术研究进展》，集成电路发展受到“功耗墙”的严重制约。英伟达和AMD在追求算力大幅提升的情况下，不得不继续提高芯片功率。主流算力芯片基本标配CoWoS封装，尤其英伟达算力芯片全部使用CoWoS封装。因此我们认为AI算力芯片的发展亟需解决CoWoS封装散热的难题。

?SiC有望成为未来CoWoS发展中Interposer最优解

CoWoS核心价值在于interposer（中介层）的连通作用，Interposer当前与未来面临热管理、结构刚性等难题。根据北京大学、Nature等相关论文，当前的Si和玻璃在材料特性上不及SiC与金刚石，而金刚石仍难以匹配芯片制造工艺，因此我们判断，因为SiC在性能与可行性两方面的优势，有望成为未来CoWoSinterposer的最适宜替代材料。

?如CoWoS未来采用SiC，中国大陆SiC产业链有望重点受益

如CoWoS未来将Interposer替换为SiC，且如按70%CoWoS替换