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武汉大学电子信息学院武汉大学电子信息学院光纤通信基础武汉大学电子信息学院半导体光检测器第1页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§1.光检测器（photodetector）?将光信号转换为电信号；?有两种：半导体PIN光电二极管（PIN-PD）；半导体雪崩光电二极管（APD-PD）；都是光伏型-结型二极管。?组合：场效应管（FET）；PIN-FET；APD-FET；第2页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§2.半导体PN结的光电效应?未加电压的p-n结—耗尽层（势垒区）。第3页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§2.半导体PN结的光电效应(续）?光照→hf≥Eg（光吸收）→电子受激跃迁第4页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§2.半导体PN结的光电效应(续）?漂移运动：耗尽层内在内建电场作用下，空穴→P区；电子→N区；在PN结边缘被收集。?扩散运动：耗尽层边缘，P区光生电子→N区；N区光生空穴→P区；少数载流子被多数载流子复合。?光生伏特效应：P区过剩空穴积累+；N区过剩电子积累-；外电路产生光电流（耗尽层内也产生光生伏特效应）。第5页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§2.半导体PN结的光电效应(续）?光吸收区：吸收入射光子并产生光生载流子的区域；?作用区：耗尽层两侧载流子扩散长度；?在作用区内，光生少数载流子的扩散速度较慢，影响光生伏特效应，光电响应速度慢。第6页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§2.半导体PN结的光电效应(续）?加宽耗尽层，尽量吸收入射光子；?负偏压有助于加宽耗尽层，与内建电场方向一致，加强了漂移运动，载流子向两极运动，并被中和；?减小P区和N区的厚度来减小载流子的扩散时间，?降低半导体的掺杂浓度来加宽耗尽层；第7页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§3.半导体PIN光电二极管?PIN光电二极管：本征半导体或低掺杂半导体（I层）；?P层和I层形成PN结，I层有较高的电阻，电压基本上落在I层，使得耗尽层加宽；?耗尽层宽度与响应速度和量子效率矛盾，要进行优化。第8页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§3.半导体PIN光电二极管(续）第9页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§3.半导体PIN光电二极管(续）第10页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§3.半导体PIN光电二极管(续）第11页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§3.半导体PIN光电二极管(续）?几种制作光检测器的半导体材料吸收系数随波长的变化情况第12页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§3.半导体PIN光电二极管(续）第13页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§3.半导体PIN光电二极管(续）?光电二极管可视为电流源，Cd为结电容，Rs为串联电阻，Rl为跨接电阻；?光电二极管的响应速度由电容Cd和负载电阻决定，一般厂家给出负载电阻为50?时的响应曲线。第14页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§3.半导体PIN光电二极管(续）第15页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§3.半导体PIN光电二极管(续）第16页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§3.半导体PIN光电二极管(续）第17页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§3.半导体PIN光电二极管(续）第18页，共37页，星期日，2025年，2月5日00-10-10武汉大学电子信息学院*§3.半导体PIN光电二极管(续）第19页，共37