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多晶GaN薄膜制备工艺与特性的深度解析与研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，从第一代半导体材料硅（Si）、锗（Ge），到第二代半导体材料砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），再到如今备受瞩目的第三代半导体材料，如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等，每一次的变革都推动着电子信息技术的飞跃。氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其卓越的性能，在半导体领域占据了举足轻重的地位。

GaN具备宽禁带（约3.4eV）特性，这使得它能够在更高的电压、频率以及温度环境下稳定运行。相比第一代和第二代半导体材料，GaN的饱和电子漂移速度更快，电子迁移率更高，这些