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应变加载下半导体纳米线电学性能的原位解析与机制洞察

一、引言

1.1研究背景与意义

随着纳米技术的飞速发展，半导体纳米线作为一种具有独特物理性质和潜在应用价值的材料，在电子器件领域展现出了巨大的潜力。半导体纳米线是一种直径在纳米尺度（通常为1-100纳米）的线状半导体材料，其具有高比表面积、量子尺寸效应以及可与传统半导体工艺兼容等特性，这些特性使得半导体纳米线在构建高性能、小型化和多功能的电子器件方面具有显著优势，被视为下一代电子器件的关键材料之一。

在实际应用中，半导体纳米线往往会受到各种外部应力的作用，如在器件的制造过程中，由于材料的沉积、光刻、蚀刻等工艺步骤，会在纳米线内部引入