GaN与GaSb基稀磁半导体及肖特基结：制备工艺与性能剖析.docx

GaN与GaSb基稀磁半导体及肖特基结：制备工艺与性能剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对半导体材料和器件的性能要求不断提高。稀磁半导体（DilutedMagneticSemiconductors，DMS）作为一种新型的半导体材料，在传统半导体中引入磁性离子，将半导体的电学和光学性质与磁性材料的磁学性质相结合，展现出了独特的物理特性，如巨磁电阻效应、磁光效应、反常霍尔效应等，在自旋电子学领域具有巨大的应用潜力，为实现新型高性能电子器件提供了新的途径。

自旋电子学是一门新兴的学科，旨在利用电子的自旋属性来实现信息的存储、处理和传输，有望突破传统电子学中仅利用电子