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《半导体制造流程、工艺与设备》考试及答案

一、选择题（每题2分，共20分）

1.半导体制造中，用于在硅片表面形成图形化掩膜的核心工艺是（）。

A.化学气相沉积（CVD）B.光刻C.离子注入D.化学机械抛光（CMP）

2.以下哪种光源目前广泛应用于7nm以下先进制程的光刻机中？（）

A.g线（436nm）B.i线（365nm）C.ArF准分子激光（193nm）D.EUV（13.5nm）

3.干法刻蚀与湿法刻蚀的主要区别在于（）。

A.刻蚀速率B.各向异性能力C.设备成本D.适用材料

4.用于在硅片表面形成绝缘层的热氧化工艺中，常用的反应气体是（）。

A.O?或H?OB.N?C.SF?D.SiH?

5.离子注入后进行退火的主要目的是（）。

A.去除表面杂质B.激活掺杂离子并修复晶格损伤C.提高薄膜密度D.增强光刻胶粘附性

6.化学机械抛光（CMP）的核心作用是（）。

A.刻蚀表面材料B.实现全局平坦化C.沉积绝缘层D.形成金属互连

7.以下哪种薄膜沉积技术可实现原子级厚度控制？（）

A.溅射（PVD）B.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）C.原子层沉积（ALD）D.热蒸发（PVD）

8.DRAM存储单元的基本结构是（）。

A.电容+晶体管B.浮栅晶体管C.电阻式存储单元D.磁隧道结

9.封装工艺中，用于实现芯片与外部电路电气连接的关键步骤是（）。

A.划片B.贴片C.键合（WireBonding或FlipChip）D.塑封

10.衡量刻蚀工艺选择性的指标是（）。

A.刻蚀速率B.选择比（被刻蚀材料速率/掩膜材料速率）C.均匀性D.各向异性比

二、填空题（每空1分，共20分）

1.半导体制造前道工艺（FEOL）的核心步骤包括清洗、氧化、光刻、______、薄膜沉积、______及化学机械抛光等。

2.光刻机的分辨率由瑞利判据决定，公式为R=______，其中k1为工艺因子，λ为光源波长，NA为______。

3.湿法刻蚀的优势是______，但缺点是______（各答一点）。

4.热氧化生成SiO?的两种主要方式是______氧化（生成速率快）和______氧化（生成膜质更致密）。

5.离子注入机的关键参数包括______（决定掺杂深度）和______（决定掺杂浓度）。

6.物理气相沉积（PVD）的主要方法有______和______，前者通过高温蒸发材料，后者通过离子轰击靶材。

7.化学机械抛光的“化学”作用主要通过______实现，“机械”作用通过______实现。

8.后道工艺（BEOL）的核心是形成______，常用材料为______（因电阻率低）和______（因抗电迁移能力强）。

9.封装测试中，______测试用于筛选功能异常的芯片，______测试用于评估可靠性（如高温、高压环境下的性能）。

三、简答题（每题8分，共40分）

1.简述光刻工艺的主要步骤，并说明掩膜版（光罩）的作用。

2.比较等离子体增强化学气相沉积（PECVD）与低压化学气相沉积（LPCVD）的异同。

3.解释“掺杂”在半导体制造中的意义，并说明离子注入与热扩散两种掺杂方法的优缺点。

4.刻蚀工艺中“各向异性”与“各向同性”的区别是什么？分别适用于哪些场景？

5.简述芯片封装的主要功能，并列举三种常见的先进封装技术。

四、综合分析题（每题10分，共20分）

1.某12英寸晶圆厂在14nm制程的光刻步骤中，发现晶圆边缘区域的图形尺寸偏差超过工艺规格（目标线宽50nm，实测58nm）。请分析可能的原因，并提出至少3种改进措施。

2.某公司计划开发一款用于5G通信的高频率射频芯片，需在硅片上沉积一层厚度均匀、致密且与衬底粘附性强的氮化硅（Si?N?）薄膜。请选择合适的薄膜沉积工艺（需说明理由），并列出影响薄膜质量的关键参数。

答案

一、选择题

1.B2.D3.B4.A5.B6.B7.C8.A9.C10.B

二、填空题

1.刻蚀；掺杂（或离子注入）

2.k?λ/NA；数值孔径

3.选择性高（或成本低）；各向异性差（或横向刻蚀严重）

4.湿氧；干氧

5.能量；剂量

6.热蒸发；溅射

7.化学溶液（或抛光液中的化学物质）；抛光垫与晶圆的机械摩擦

8.金属互连；铜；钽（或钽nitride，作为阻挡层）

9.