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2025半导体晶圆制造工艺标准模拟考试试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.以下哪项不属于极紫外（EUV）光刻的核心技术挑战？

A.13.5nm波长光源的功率稳定性

B.掩模版多层膜的缺陷控制

C.光刻胶的灵敏度与分辨率平衡

D.深紫外（DUV）光学系统的像差校正

答案：D

2.原子层沉积（ALD）工艺的自限制特性主要依赖于：

A.前驱体气体的化学吸附饱和

B.反应腔室的高真空环境

C.基片温度的精确控制

D.等离子体的离子轰击作用

答案：A

3.高K金属栅（HKMG）结构中，高K材料替代传统SiO?的主要目的是：

A.降低栅极漏电流

B.提高载流子迁移率

C.减小栅极电容

D.简化工艺集成步骤

答案：A

4.化学机械抛光（CMP）工艺中，影响抛光速率的关键参数不包括：

A.抛光垫的硬度

B.磨料颗粒的粒径分布

C.反应腔室的射频功率

D.抛光头的旋转速度

答案：C

5.等离子体刻蚀中，各向异性刻蚀的实现主要依靠：

A.化学腐蚀反应的选择性

B.离子轰击的方向性

C.刻蚀气体的混合比例

D.基片温度的升高

答案：B

6.以下哪种掺杂工艺可实现亚纳米级的结深控制？

A.离子注入

B.扩散掺杂

C.分子束外延（MBE）

D.激光退火激活

答案：C

7.晶圆清洗工艺中，SC-1溶液（标准清洗1号）的主要成分是：

A.H?SO?:H?O?

B.NH?OH:H?O?:H?O

C.HCl:H?O?:H?O

D.HF:H?O

答案：B

8.12英寸晶圆的直径标准为：

A.200mm

B.300mm

C.450mm

D.150mm

答案：B

9.薄膜应力控制对晶圆制造的影响不包括：

A.晶圆翘曲导致的曝光偏差

B.金属互连线的电迁移失效

C.介质层的裂纹与分层

D.光刻胶的黏附性增强

答案：D

10.以下哪项是浸没式光刻（ImmersionLithography）的核心改进？

A.在镜头与晶圆间填充高折射率液体

B.采用波长更短的光源

C.优化光刻胶的显影工艺

D.增加掩模版的透光率

答案：A

11.铜互连工艺中，扩散阻挡层的主要材料是：

A.SiO?

B.Ta/TaN

C.Al?O?

D.TiW

答案：B

12.快速热退火（RTA）的主要作用是：

A.去除晶圆表面的有机物残留

B.激活离子注入的掺杂剂并修复晶格损伤

C.增强薄膜与基片的黏附性

D.降低金属互连线的电阻

答案：B

13.以下哪种量测技术可实现纳米级线宽的非破坏性检测？

A.扫描电子显微镜（SEM）

B.原子力显微镜（AFM）

C.椭圆偏振仪（Ellipsometry）

D.X射线光电子能谱（XPS）

答案：A

14.3nm以下制程中，鳍式场效应晶体管（FinFET）逐步被哪种结构替代？

A.平面MOSFET

B.环栅晶体管（GAAFET）

C.双极结型晶体管（BJT）

D.绝缘栅双极晶体管（IGBT）

答案：B

15.晶圆背面减薄（BacksideThinning）的主要目的是：

A.提高芯片的散热性能

B.增加晶圆的机械强度

C.降低光刻工艺的聚焦难度

D.减少离子注入的能量损失

答案：A

二、填空题（每空1分，共20分）

1.EUV光刻系统中，光学元件需采用________多层膜以提高反射率，典型材料组合为钼（Mo）和硅（Si）。

答案：反射式

2.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）通过________激发气体分子，可在低温下沉积高质量薄膜。

答案：射频电场

3.刻蚀工艺的选择比定义为________材料刻蚀速率与________材料刻蚀速率的比值。

答案：目标；掩模

4.浅沟槽隔离（STI）工艺的关键步骤包括：光刻定义沟槽、________、氧化层填充、CMP平坦化。

答案：等离子体刻蚀

5.光刻工艺的分辨率计算公式为R=k?λ/NA，其中NA代表________，k?为工艺因子。

答案：数值孔径

6.掺杂工艺中，________技术通过在真空环境下蒸发掺杂源并沉积到晶圆表面，可实现原子级精确控制。

答案：分子束外延（MBE）

7.晶圆清洗工艺中，HF溶液主要用于去除_______