2025半导体制造光刻工艺技术模拟考试试题及答案.docxVIP

2025半导体制造光刻工艺技术模拟考试试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20题，40分）

1.以下哪种光刻机技术可实现最小线宽小于10nm的光刻？

A.KrF准分子激光（248nm）干式光刻

B.ArF准分子激光（193nm）浸没式光刻

C.EUV极紫外光刻（13.5nm）

D.电子束直写光刻（无掩膜）

答案：C

2.用于5nm节点的光刻掩膜版（Mask）基底材料通常为？

A.熔融石英（SiO?）

B.钙氟化物（CaF?）

C.超低膨胀玻璃（ULE）

D.多层膜反射结构（Mo/Si）

答案：D（EUV掩膜版需多层膜反射结构）

3.正性光刻胶的显影机制是：

A.曝光区域发生交联反应，难溶于显影液

B.未曝光区域发生分解反应，易溶于显影液

C.曝光区域发生分解反应，易溶于显影液

D.未曝光区域发生交联反应，难溶于显影液

答案：C

4.浸没式光刻中，浸没液体的折射率需满足的关键条件是：

A.折射率大于空气（1.0）且小于光刻胶（~1.7）

B.折射率大于光刻胶（~1.7）

C.折射率等于空气（1.0）

D.折射率小于1.0

答案：A（需通过液体填充镜头与晶圆间隙，提升数值孔径NA）

5.光刻工艺中，“套刻精度（Overlay）”的主要衡量指标是：

A.线宽均匀性（CDUniformity）

B.相邻层图形对齐误差

C.光刻胶残留量

D.曝光能量稳定性

答案：B

6.根据瑞利分辨率公式R=k?λ/NA，若需将分辨率从45nm提升至22nm，在k?和λ不变的情况下，NA需提升约：

A.1倍

B.2倍

C.0.5倍

D.0.8倍

答案：A（分辨率与NA成反比，45nm→22nm需NA从~0.93提升至~1.9，接近翻倍）

7.光刻工艺窗口（ProcessWindow）的核心参数不包括：

A.曝光能量容差（EL）

B.离焦量容差（DOF）

C.显影时间波动

D.掩膜版误差增强因子（MEEF）

答案：D（MEEF是掩膜版图形误差对晶圆图形的放大系数，非工艺窗口直接参数）

8.以下哪种缺陷属于光刻工艺特有的“随机缺陷”？

A.掩膜版上的固定颗粒

B.光刻胶涂布不均匀导致的厚度差异

C.电子束曝光时的剂量波动引起的线宽随机变化

D.显影液污染导致的局部残留

答案：C（随机缺陷由工艺随机波动引起，无固定位置）

9.浸没式光刻中，为避免液体残留导致的图形缺陷，通常采用的技术是：

A.超纯水（DIW）浸没+高速旋转甩干

B.高折射率油浸没+加热蒸发

C.气体吹扫+等离子体清洗

D.光刻胶表面疏水处理

答案：A（超纯水是主流浸没介质，甩干可减少残留）

10.EUV光刻中，最关键的技术挑战是：

A.光源功率不足

B.光刻胶灵敏度低

C.掩膜版污染控制

D.以上均是

答案：D（EUV需高功率光源、高灵敏度光刻胶及严格的掩膜版防护）

11.光刻工艺中，“后烘（PEB）”的主要作用是：

A.去除光刻胶中的溶剂

B.促进光酸扩散与化学反应

C.增强光刻胶与基底的粘附性

D.降低光刻胶内应力

答案：B（后烘是化学放大光刻胶的关键步骤，促进光生酸引发的交联或分解反应）

12.以下哪种光刻胶适用于EUV光刻？

A.传统DNQ/Novolac光刻胶（G线/i线）

B.化学放大光刻胶（CAR）

C.金属氧化物光刻胶（MOx）

D.负性环化橡胶光刻胶（KrF）

答案：B（化学放大光刻胶通过光酸催化反应提升灵敏度，适配EUV低剂量特性）

13.光刻对准系统中，“标记套刻（OverlayMark）”的设计需满足：

A.图形对称性高，信号对比度强

B.尺寸尽可能大，便于检测

C.与芯片功能区图形完全一致

D.仅用于初始对准，无需高精度

答案：A（高对称性和对比度可提升对准精度）

14.显影液的常见成分是：

A.四甲基氢氧化铵（TMAH）水溶液

B.氢氟酸（HF）

C.硫酸（H?SO?）

D.丙酮（C?H?O）

答案：A（TMAH是正性光刻胶的标准显影液）

15.光学邻近校正（OPC）的主要目的是：

A.补偿掩膜版制造误差

B.修正光学系统的像差

C.抵消光的衍射导致的图形畸变

D.提升光刻胶的灵敏度

答案：C（OPC通过修改掩膜版图形，补偿光学衍射引起的晶圆图形失真）