第1章常用半导体器件及其应用.pptVIP

模拟电子技术与应用从三个区引出了三个电极：由基区引出的电极被称为基极，用字母b表示；由发射区引出的电极被称为发射极，用字母e表示；由集电区引出的电极被称为集电极，用字母c表示。NPN型和PNP型三极管的符号的区别仅在于基极与发射极之间箭头的方向，箭头方向表示发射结加正向偏置时的电流方向。第62页，共108页，星期日，2025年，2月5日模拟电子技术与应用三极管结构示意图及表示符号第63页，共108页，星期日，2025年，2月5日模拟电子技术与应用2.三极管的电流分配与放大作用根据实验数据的比较分析，可得出如下结论：三个电流之间的关系符合基尔霍夫电流定律：β称为三极管的电流放大系数，它反映三极管的电流放大能力，也可以说电流IB对IC的控制能力。IE=IC+IB，IC≈IEIB虽然很小，但对IC有控制作用，IC随IB改变而改变。第64页，共108页，星期日，2025年，2月5日模拟电子技术与应用1）三极管内部载流子的运动规律（1）发射区向基区发射电子。（2）基区中的电子进行扩散与复合。（3）集电区收集电子。从发射区注入到基区的电子只有很小一部分在基区复合掉，绝大部分到达集电区。这就是说构成发射极电流IE的两部分中，IBE部分是很小的，ICE部分所占百分比是大的，若它们的比值用β表示，则有：2）三极管的电流分配关系第65页，共108页，星期日，2025年，2月5日模拟电子技术与应用3）放大作用由于发射结两端电压的变化引起了发射极电流的变化，集电极电流和基极电流也会发生相应的变化，它们的变化量分别用ΔIC和ΔIB表示。它们的比值称为共发射极交流电流放大系数，用β表示。β是表征三极管电流放大能力的参数。这种以较小的输入电流变化控制较大的输出电流变化的作用，就是三极管的电流放大作用。第66页，共108页，星期日，2025年，2月5日模拟电子技术与应用1.4.2三极管的特性曲线1.共射输入特性曲线1）当UCE=0时，相当于集电极和发射极间短路，三极管等效成两个二极管并联，其特性类似于二极管的正向特性。2）当UCE≥1V时，输入特性曲线右移，表明对应同一个UBE值，IB减小了，或者说，要保持IB不变，UBE需增加。这是因为集电结加反向电压，使得扩散到基区的载流子绝大部分被集电结吸引过去而形成集电极电流IC,只有少部分在基区复合，形成基极电流IB,所以IB减小而使曲线右移。第67页，共108页，星期日，2025年，2月5日模拟电子技术与应用三极管的输入特性曲线第68页，共108页，星期日，2025年，2月5日模拟电子技术与应用2.共射输出特性曲线根据三极管的工作状态，将曲线分为三个区域：1）截止区：把IB=0的那条曲线以下的区域称为截止区，发射结合集电结都处于反向偏置。2）放大区：在IB=0的特性曲线上方，各条输出特性曲线近似平行于横轴的曲线簇部分。发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。3）饱和区：输出特性曲线近似直线上升部分称为饱和区，UCE1V，三极管饱和时称为饱和压降，用UCES来表示。此时发射结和集电结都处于正偏。第69页，共108页，星期日，2025年，2月5日模拟电子技术与应用三极管的输出特性曲线第70页，共108页，星期日，2025年，2月5日模拟电子技术与应用1.4.3三极管的主要参数1.电流放大系数1）动态（交流）电流放大系数2）静态（直流）电流放大系数两者含义不同，但通常在输出特性线性较好的情况下，两个数值差别很小，一般不作严格区分。第71页，共108页，星期日，2025年，2月5日模拟电子技术与应用极间反向饱和电流同电流放大系数一样，都是表征三极管优劣的主要指标。常用的反向截止电流有两种。2）集电极－发射极反向饱和电流ICEOICEO是当三极管基极开路而集电结反偏和发射结正偏时的集电极电流。ICEO越小越好。2．极间反向饱和电流1）集电极－基极反向饱和电流ICBOICBO是当三极管发射极开路而集电结处于反向偏置时的集电极电流值。ICBO越小越好。第72页，共108页，星期日，2025年，2月5日模拟电子技术与应用1）集电极最大允许电流：ICM是指三极管集电极允许的最大电流。3）发射极—基极间反向击穿电压：U（BR）EBO是集电极开路时，发射极与基极之