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2025半导体制造光刻技术原理模拟考试试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺的核心目的是：

A.去除晶圆表面氧化层

B.在晶圆上转移掩膜版的图形

C.提高晶圆表面导电性

D.增强晶圆机械强度

答案：B

2.以下哪种材料常用于制造先进光刻掩膜版的透明基板？

A.普通玻璃

B.熔融石英（SiO?）

C.蓝宝石（Al?O?）

D.碳化硅（SiC）

答案：B

3.193nm浸润式光刻机中，浸润液体的折射率需满足：

A.小于1

B.约1.44（接近水）

C.约2.0（接近高折射率晶体）

D.无特殊要求

答案：B

4.极紫外（EUV）光刻的典型曝光波长为：

A.248nm

B.193nm

C.13.5nm

D.157nm

答案：C

5.光刻胶的“对比度”参数主要描述：

A.光刻胶对不同波长光的吸收能力

B.曝光后光刻胶溶解速率随曝光剂量的变化陡峭程度

C.光刻胶与基底的粘附性

D.光刻胶的耐热性能

答案：B

6.以下哪种技术不属于光学邻近校正（OPC）的常用方法？

A.亚分辨率辅助图形（SRAF）

B.移相掩膜（PSM）

C.离轴照明（OAI）

D.剂量-焦距矩阵（DOFMatrix）

答案：D

7.光刻机的“套刻精度”主要影响：

A.芯片的集成度

B.光刻胶的灵敏度

C.晶圆的表面平整度

D.不同层图形的对准精度

答案：D

8.深紫外（DUV）光刻中，为突破衍射极限，常用的分辨率增强技术（RET）不包括：

A.双重曝光（DPL）

B.电子束直写（EBL）

C.浸润式光刻（Immersion）

D.偏振照明（Polarization）

答案：B

9.光刻工艺中，“后烘（PEB）”步骤的主要作用是：

A.去除光刻胶中的溶剂

B.促进光酸扩散与化学反应

C.增强光刻胶与基底的粘附性

D.显影前稳定图形

答案：B

10.EUV光刻中，掩膜版采用多层膜结构的主要原因是：

A.提高机械强度

B.增强EUV光的反射率

C.降低制造成本

D.便于图形加工

答案：B

二、填空题（每空2分，共20分）

1.光刻分辨率的瑞利公式为R=k?×λ/NA，其中NA表示________。

答案：数值孔径

2.先进光刻机中，为实现高速高精度对准，常采用________技术（如ASML的Twinscan平台）。

答案：双工作台

3.浸润式光刻通过在镜头与晶圆间填充高折射率液体，可使有效波长λ=λ/n（n为液体折射率），从而________分辨率（填“提高”或“降低”）。

答案：提高

4.EUV光刻系统中，由于EUV光易被空气吸收，因此曝光环境需保持________状态。

答案：真空（或高真空）

5.光刻胶按显影后溶解特性分为正性胶和负性胶，正性胶曝光区域在显影液中________（填“溶解”或“不溶解”）。

答案：溶解

6.为补偿光学系统像差，光刻机中常采用________技术（如变形透镜或动态像差校正）。

答案：像差校正（或光学补偿）

7.多重曝光技术（如四重曝光）的核心目的是________。

答案：突破单次曝光的分辨率极限

8.光刻工艺中，“焦深（DOF）”的计算公式为DOF=k?×λ/NA2，其中k?为与工艺相关的常数，通常取值范围约为________。

答案：0.5~1.0

9.EUV掩膜版的多层膜通常由________和钼（Mo）交替沉积而成，以实现高反射率。

答案：硅（Si）

10.光刻胶的“灵敏度”定义为形成所需图形轮廓的最小________。

答案：曝光剂量

三、简答题（每题8分，共40分）

1.简述深紫外（DUV）光刻与极紫外（EUV）光刻在光学系统上的主要差异。

答案：DUV光刻使用透射式光学系统，光源（如ArF准分子激光）通过透射式掩膜版、透镜组投影成像；光学元件材料为熔融石英等透光材料。EUV光刻因EUV光易被材料吸收，采用反射式光学系统，掩膜版为反射结构（多层膜+吸收层），光学系统由多个反射镜组成，需在真空环境中工作。

2.解释“离轴照明（Off-AxisIllumination,OAI）”提升分辨率的原理。

答案：离轴照明通过将照明光源偏离光轴（如环形、偶极子或四极子照明），改变入射光的角度分布。对于特定方向的密集图形（如水平或垂直线条），离轴照明可使