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2025半导体制造设备参数调整技术模拟考试试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪项参数调整最直接影响光刻机分辨率？

A.曝光时间

B.数值孔径（NA）

C.显影液温度

D.光刻胶厚度

答案：B

解析：分辨率公式R=k1λ/NA（瑞利判据），NA是数值孔径，与分辨率成反比，是影响分辨率的核心参数。

2.电感耦合等离子体（ICP）刻蚀机中，增加射频源功率（SourcePower）主要会改变以下哪项指标？

A.刻蚀选择比

B.刻蚀均匀性

C.等离子体密度

D.刻蚀各向异性

答案：C

解析：ICP源功率决定等离子体的产生效率，功率越高，等离子体密度越大；偏压功率（BiasPower）主要影响离子轰击能量，与各向异性相关。

3.化学气相沉积（CVD）设备中，若沉积速率低于工艺要求，优先调整的参数是？

A.反应腔压力

B.衬底温度

C.前驱体气体流量

D.载气（如N?）流量

答案：C

解析：前驱体气体流量直接决定参与反应的反应物浓度，流量增加通常会提升沉积速率；温度和压力虽有影响，但调整流量是更直接的手段。

4.化学机械抛光（CMP）工艺中，若晶圆边缘抛光速率显著高于中心，需优先调整以下哪项参数？

A.抛光垫硬度

B.晶圆下压压力分布

C.抛光液pH值

D.抛光盘转速

答案：B

解析：边缘速率异常通常与压力分布不均有关（如边缘压力过高），调整下压压力（如使用边缘环控制）可改善均匀性；转速和垫硬度影响整体速率，pH值影响化学作用。

5.离子注入机中，调整加速电压主要改变的是？

A.离子束流强度

B.注入离子能量

C.注入剂量均匀性

D.靶室真空度

答案：B

解析：加速电压决定离子获得的动能（E=qU），电压越高，离子能量越大，注入深度越深；束流强度由离子源功率控制。

6.物理气相沉积（PVD）磁控溅射设备中，氩气（Ar）流量增加会导致？

A.溅射速率上升

B.薄膜致密度下降

C.靶材刻蚀速率降低

D.等离子体稳定性变差

答案：B

解析：Ar流量增加会降低等离子体中离子能量（碰撞次数增多），导致溅射原子能量降低，沉积的薄膜致密度下降；溅射速率在一定范围内随Ar压力（流量）先升后降。

7.光刻机对准精度（Overlay）异常时，优先检查的参数是？

A.掩膜版与晶圆的间隙（Gap）

B.曝光光源波长

C.物镜畸变校正系数

D.显影后烘烤温度

答案：C

解析：对准精度主要受光学系统畸变、标记检测算法及机械定位影响，物镜畸变校正系数直接影响投影图形的位置精度；Gap主要影响分辨率，波长影响曝光能量。

8.干法刻蚀中，若刻蚀后图形底部出现残留（未刻透），可能的参数调整方向是？

A.降低刻蚀气体中CF?比例

B.提高偏压功率

C.减少刻蚀时间

D.降低反应腔压力

答案：B

解析：底部残留可能因离子轰击能量不足（刻蚀速率低），提高偏压功率可增加离子能量，增强物理刻蚀作用；CF?提供F自由基，降低比例会减少化学刻蚀，可能加剧残留。

9.原子层沉积（ALD）设备中，影响薄膜厚度均匀性的关键参数是？

A.前驱体脉冲时间

B.反应腔温度

C.吹扫气体流量

D.沉积循环次数

答案：A

解析：ALD通过自限性反应生长，脉冲时间不足会导致前驱体在晶圆表面吸附不均，影响厚度均匀性；温度影响反应速率但不破坏自限性，循环次数决定总厚度。

10.晶圆清洗设备中，兆声波清洗的关键参数是？

A.清洗液温度

B.声波频率

C.氮气干燥压力

D.药液浓度

答案：B

解析：兆声波（频率0.8-2MHz）通过空化效应去除颗粒，频率直接影响空化气泡的大小和能量，是清洗效果的核心参数；温度和浓度影响化学作用。

二、填空题（每空1分，共20分）

1.EUV光刻机的典型工作波长为______nm，其光学系统采用______（填“折射”或“反射”）式设计。

答案：13.5；反射

2.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）中，射频频率常用______MHz（高频）和______kHz（低频）两种，前者主要用于______（填“提高沉积速率”或“改善薄膜质量”）。

答案：13.56；380；提高沉积速率

3.深硅刻蚀（Bosch工艺）采用______和______交替进行的模式，关键参数包括SF?流量、C?F?流量及______切换时间。

答案：刻蚀；钝化；工艺步骤