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第1页，共36页，星期日，2025年，2月5日1.1半导体材料及导电特性1.1.1本征半导体1.1.2杂质半导体1.1.3漂移电流与扩散电流引言返回第2页，共36页，星期日，2025年，2月5日1.1半导体材料及导电特性返回第3页，共36页，星期日，2025年，2月5日1.1.1本征半导体返回第4页，共36页，星期日，2025年，2月5日1.1.1本征半导体（intrinsicsemiconductor）返回第5页，共36页，星期日，2025年，2月5日Eg（二）本征激发和两种载流子a:空穴带正电量b：空穴是半导体中所特有的带单位正电荷的粒子，与电子电量相等，符号相反c：空穴在价带内运动，也是一种载流子。在外电场作用下可在晶体内定向移动空穴：自由电子载流子：带单位负电空穴载流子：带单位正电返回第6页，共36页，星期日，2025年，2月5日（三）本征载流子（intrinsiccarrier）浓度

本征激发电子空穴Eg1电子空穴随机碰撞复合（自由电子释放能量）电子空穴对消失23本征激发动态平衡复合是电子空穴对的两种矛盾运动形式。返回第7页，共36页，星期日，2025年，2月5日1.1.2杂质半导体（donorandacceptorimpurities）3.3X1012分之一返回第8页，共36页，星期日，2025年，2月5日（一）N型半导体（NTypesemiconductor）

室温T=300k+++++5返回第9页，共36页，星期日，2025年，2月5日（二）P型半导体（Ptypesemiconductor）----返回第10页，共36页，星期日，2025年，2月5日（三）杂质半导体中的载流子浓度本征半导体中载流子由本征激发产生：ni=pi掺杂半导体中（NorP）→掺杂越多→多子浓度↑→少子浓度↓杂质半导体载流子由两个过程产生：杂质电离→多子 本征激发→少子由半导体理论可以证明，两种载流子的浓度满足以下关系：1热平衡条件：温度一定时，两种载流子浓度积之，等于本征浓度的平方。N型半导体：若以nn表示电子（多子），pn表示空穴（少子）则有nn.pn=ni2P型半导体：pp表示空穴（多子），np表示电子浓度（少子）Pp.np=ni22电中性条件：整块半导体的正电荷量与负电荷量恒等。N型：No表示施主杂质浓度，则：nn=No+pnP型：NA表示受主杂质浓度，Pp=NA+np由于一般总有NopnNAnp所以有N型：nn≈No且：pn≈ni2/NDP型：pp≈NAnp≈ni2/NA多子浓度等于掺杂浓度少子浓度与本征浓度ni2有关，与温度无关 随温度升高而增加，是半导体 元件温度漂移的主要原因多子浓度少子浓度返回第11页，共36页，星期日，2025年，2月5日1.1.3漂移电流与扩散电流半导体中有两种载流子：电子和空穴，这两种载流子的定向运动会引起导电电流。引起载流子定向运动的原因有两种：由于电场而引起的定向运动――漂移运动。（漂移电流）由于载流子的浓度梯度而引起的定向运动――扩散运动（扩散电流）（一）漂移电流（driftcurrent）在电子浓度为n,空穴浓度为p的半导体两端外加电压V，在电场E的作用下，空穴将沿电场方向运动，电子将沿与电场相反方向运动：EV●●●●●○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●返回第12页，共36页，星期日，2025年，2月5日(二）扩散电流（diffusioncurrent）光照N型半导体x●●●●●●●○○○○○●●●n(x)p(x)载流子浓度热平衡值热平衡值x●●●●●●●○○○○○●●●●●●●●