组成原理存储器讲课文档.pptVIP

组成原理课件存储器;二、存储器的主要技术指标;练习：设有一个1MB容量的存储器，字长为32位，问：

（1）按字节编址，地址寄存器、数据寄存器各为几

位？编址范围为多大？

（2）按半字编址，地址寄存器、数据寄存器各为几

位？编址范围为多大？

（3）按字编址，地址寄存器、数据寄存器各为几位？

编址范围为多大？

;§7·2半导体存储器;2、半导体存储器的译码驱动方式;采用两个译码器，输入的地址信号分成两部分送到两个译码

器，分别产行选通信号和列选通信号。可减少选通线的条数，

适合于容量较大的存储器芯片。(1K×1位）图4.10;二、静态RAM;三、动态RAM

1、动态RAM的基本单元电路;

;3、刷新方法

动态RAM必须采用定时刷新，即在规定的时间里对全部存储单

元电路作一次刷新，一般刷新时间为2毫秒。在刷新周期内由专用

的刷新电路来完成对基本单元电路的逐行刷新。

（1）集中刷新

在刷新周期内对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新，

此时必须停止读/写操作。

例：动态RAM芯片内32×32矩阵，读写周期为0.5μs，连续刷新

32行需16μs占32个读/写周期。在刷新周期2ms内含4000个读/写

周期，实际在前3968个周期用于读/写操作或维持，后32个周期用

于刷新。

特点：访存出现32/4000即8%的死区。;（2）分散方式

分散刷新是将对每行存储单元的刷新分散到每个读/写周期内

完成。将存取周期分成两段，一段用于读/写或维持，另一段用来刷

新。

特点：虽然克服了死区的现象，但使机器的存取周期由0.5μs变成

1μs，使整机的工作效率下降。

（3）集中与分散结合方式（异步）

先用要刷新的行数对2ms进行分割，再将每行的时间分为两

段，前段用于读/写或保持，后段时间即0.5μs用于刷新。

特点：即克服了死区现象，又提高了整机的工作效率。

例：128×128芯片，每行刷新时间为2ms/128=15.6μs;四、只读存储器ROM

根据制造工艺只读存储器ROM可为ROM、PROM、EPROM、

E2PROM、FlashMemory等。P88~91

1、掩膜ROM（只读存储器）

通过元件的“有”表示信息“1”，元件的“无”来表示信息“0”。

2、PROM（一次性可编程只读存储器）

熔丝未断表示信息“1”，熔丝烧断表示信息“0”

3、EPROM（可擦可编程序的只读存储器）

通过紫外线照射，可实现信息的擦除，外加+25的编程电压及宽

50ms的编程脉冲可对指定的单元写入信息“1”和“0”。

4、E2PROM（可电擦可编程的只读存储器）

通过给定的擦除电压可对位或字节的信息进行擦除。（10万次）

5、FlashMemory（快擦除读写存储器）

通过给定的擦除实现对原有信息的擦除，并可实现在线编程。

五、只读存储器芯片的结构与引脚（P207图7-29）;五、多体交叉存储器

由多个存储模块构成，每个模块有相同的容量和存取速度，各

模块有各自独立的地址寄存器、数据寄存器、地址译码器、驱动和

读写电路，它们能并行、交叉工作。各自以等同的方式与CPU传递

信息。CPU在一个周期内分时访问每个存储体。若多体交叉存储器

由n个存储模块构成，存储器的工作速度可提高n倍。它是在多总

线结构的计算机中，提高系统的吞吐率的最有效方法。

例：问读0、5、10、15存储单元中的数据和读1、3、5、7存储单

元中的数据各需多少周期？

多体交叉存储器按选择不同存储模块所用地址位是高位地址还

是低位地址可分为高位交叉编址的多体存储器和低位交叉编址的多

体存储器;1、高位交叉编址的多体存储器;

例：已知RAM芯片的容量为1K×8，现要构成按字节寻址

的2体交叉的容量为2K×8存储器，若采用高位交叉编址

画出存储器的结构图。;;

例：已知RAM芯片的容量为1K×8，现要构成按字节寻址

的2体交叉的容量为2K×8存储器，若采用低位交叉编址

画出存储器的结构图。;;六、CPU与存储器的连接

1、位扩展

是指只进行位数据扩展（加大字长），达到存储器字长的要求。

连接方式：将各存储芯片的地址线、片选线和读写线相应地并联起来，而将和芯片的数据线单独列出。如用8片的16K×1的存储芯片扩充为16K×8的存储器。地址线条数为log216K=14

;2、字扩展：仅在字向扩展，而位数不变。