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2025年大学《应用物理学》专业题库——磁性材料在应用物理学中的研究进展

考试时间:______分钟总分:______分姓名:______

一、

简述铁磁性与顺磁性的主要区别。请从微观机制(如磁矩排列方式、相互作用)和宏观表现(如磁化曲线、剩磁)两个方面进行阐述。

二、

自旋电子学是研究电子自旋运动及其与宏观现象相互作用的交叉学科。请列举至少三种自旋电子学器件,并分别简述其基本工作原理及至少一个主要应用。

三、

磁性隧道结(MTJ)是自旋电子学中重要的基础结构和功能器件。请解释MTJ的构成(至少提及关键材料层),说明其隧道磁阻(TMR)效应产生的物理机制,并简述影响TMR值的因素。

四、

磁存储技术经历了从磁芯到硬盘、从DRAM到MRAM的发展历程。请比较硬盘(以TMR或GMR技术为基础)和MRAM在性能(如读写速度、存储密度、功耗、非易失性)方面的主要差异,并指出MRAM技术目前面临的主要挑战。

五、

磁致电阻(MR)效应是磁性材料的一种重要物理特性,广泛应用于传感器等领域。请区分线性磁阻(AMR)和非线性磁阻(GMR/TMR),简述其中一种效应(如GMR)的物理原理,并说明其相较于AMR在灵敏度方面的优势。

六、

简述自旋轨道矩(SOT)驱动磁化翻转的基本原理。这种驱动方式相较于传统的电流驱动方式有哪些潜在优势?请结合自旋电子学器件(如隧道磁阻随机存取存储器TRAM)的应用场景,谈谈你对SOT技术未来发展的看法。

七、

多铁性材料同时具有铁电性和铁磁性,是当前材料科学研究的热点之一。请简述多铁性材料的潜在优势,并举例说明一种典型的多铁性材料(如BiFeO3),概述其结构特点以及铁电性和铁磁性之间的耦合机制。

八、

磁热效应(MCE)是指材料在磁场作用下其热力学状态发生变化(如熵变)的现象。请解释磁热效应产生的物理基础,并简述利用磁热效应进行制冷的基本原理。提及至少一种具有磁热效应的材料类型及其潜在应用领域。

九、

理论计算与模拟在磁性材料的研究与设计中扮演着日益重要的角色。请列举两种常用的计算模拟方法(如第一性原理计算、蒙特卡洛模拟等),简要说明其基本原理,并分别指出其在磁性材料研究中的一个具体应用实例。

十、

回顾磁性材料在应用物理学领域的发展历程,选择一个你认为具有里程碑意义的重大进展(例如,从发现巨磁阻效应到基于GMR/TMR的硬盘应用,或从自旋注入研究的初步认识到现代自旋电子学器件的诞生等),阐述该进展的科学背景、关键技术突破及其对相关技术领域(如信息存储、计算、传感等)产生的深远影响。

试卷答案

一、

铁磁性是物质在低于居里温度时,自发形成宏观磁化区域(磁畴),磁矩沿外磁场方向平行排列,且在外磁场去除后能保持磁化状态的现象。其微观机制主要基于自旋电子相互作用(如交换作用),导致磁矩呈长程有序排列。宏观表现为具有明显的磁滞回线,存在剩磁。顺磁性是物质内部分子或离子具有固有磁矩(通常由未成对电子引起),在外磁场作用下,磁矩随机取向,宏观上表现出微弱的、沿外磁场方向排列的磁化强度,外磁场去除后磁化立即消失。其微观机制是磁矩与热运动相互竞争,无长程有序。宏观表现为磁化率随温度升高而减小,无剩磁,磁化曲线通过原点。

二、

自旋电子学器件及其原理与应用:

1.巨磁阻(GMR)传感器:基本原理是基于多层结构(如(Fe/Cr)n)中,电流平行于磁化方向时电阻较小,垂直于磁化方向时电阻较大。应用:硬盘驱动器读头、磁传感器。

2.隧道磁阻(TMR)传感器:基本原理是基于磁性隧道结(MTJ),当两个磁性层磁化方向平行时,电子主要通过量子隧穿,电阻较小;当磁化方向反平行时,隧穿概率显著降低,电阻较大。应用:硬盘驱动器读头、非易失性存储器(MRAM)、生物传感。

3.自旋阀(SpinValve):基本原理是基于多层结构(如自由层-非磁性层-固定层),利用自旋极化电子与自由层磁化方向的关联,通过改变自由层磁化方向来控制通过非磁性层的自旋流,从而控制电阻。应用:磁传感器、硬盘驱动器读头。

三、

磁性隧道结(MTJ)构成:通常由两个铁磁层(FerromagneticLayers,FM)夹着一个非磁性金属层(Non-magneticConductor,NM)组成。关键材料层包括铁磁层(如Fe,Co,Ni合金)和非磁性层(如Cu,Ag)。

TMR效应产生机制:当电子通过非磁性层时,自旋相关的散射导致电子主要具有与其自旋方向一致的动量。在MTJ中,电子从一侧铁磁层(写层或自由层)注入非磁性层时,其自旋状态与该层磁化方向相关。当自由层磁化方向与固定层磁化方向平行时,自旋与传输路径匹配的电子能通过隧道效应穿过非磁性层到达另一侧铁磁层,隧穿概率高,电阻小。当两者磁化方向反平行时,只有少量自旋与路径匹配的电

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