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北方华创秋招真题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体制造中，光刻的目的是？

A.沉积薄膜

B.去除杂质

C.图形转移

D.提高导电性

2.以下哪种气体常用于化学气相沉积（CVD）？

A.氧气

B.氮气

C.氢气

D.硅烷

3.集成电路制造中，刻蚀的主要作用是？

A.形成绝缘层

B.去除不需要的材料

C.增加芯片厚度

D.改善芯片外观

4.以下哪种材料常用于半导体衬底？

A.玻璃

B.陶瓷

C.硅

D.塑料

5.光刻工艺中，光刻胶的作用是？

A.保护芯片

B.导电

C.形成图形

D.散热

6.半导体制造中，氧化工艺的主要目的是？

A.提高芯片强度

B.形成绝缘层

C.增加芯片重量

D.改变芯片颜色

7.以下哪种设备不属于北方华创的产品？

A.刻蚀机

B.光刻机

C.气相沉积设备

D.清洗机

8.集成电路制造流程中，掺杂的目的是？

A.改变半导体的电学性质

B.增加芯片的硬度

C.减少芯片的尺寸

D.提高芯片的透明度

9.半导体芯片制造的主要工艺流程不包括？

A.设计

B.制造

C.封装

D.销售

10.以下哪种技术用于提高芯片的性能和集成度？

A.摩尔定律

B.牛顿定律

C.开普勒定律

D.欧姆定律

答案：1.C2.D3.B4.C5.C6.B7.B8.A9.D10.A

多项选择题（每题2分，共10题）

1.北方华创的主要业务领域包括（）

A.半导体装备

B.真空装备

C.新能源锂电装备

D.电子元器件

2.半导体制造中的清洗工艺可以去除（）

A.颗粒杂质

B.金属杂质

C.有机物杂质

D.氧化层

3.光刻工艺涉及的关键设备有（）

A.光刻机

B.涂胶显影机

C.刻蚀机

D.清洗机

4.化学气相沉积（CVD）的优点有（）

A.沉积速率高

B.膜层质量好

C.可精确控制膜厚

D.设备成本低

5.半导体制造中常用的掺杂方法有（）

A.离子注入

B.扩散

C.溅射

D.蒸发

6.北方华创的产品应用于（）

A.集成电路

B.太阳能光伏

C.平板显示

D.半导体照明

7.刻蚀工艺可分为（）

A.湿法刻蚀

B.干法刻蚀

C.化学刻蚀

D.物理刻蚀

8.半导体材料的特性包括（）

A.导电性介于导体和绝缘体之间

B.具有热敏性

C.具有光敏性

D.具有掺杂性

9.半导体制造中的薄膜沉积方法有（）

A.物理气相沉积（PVD）

B.化学气相沉积（CVD）

C.电镀

D.喷涂

10.以下关于北方华创的描述正确的有（）

A.是国内半导体装备龙头企业

B.产品覆盖多个半导体制造环节

C.具有自主研发能力

D.在国际市场有较高知名度

答案：1.ABCD2.ABCD3.AB4.ABC5.AB6.ABCD7.AB8.ABCD9.ABC10.ABC

判断题（每题2分，共10题）

1.北方华创只生产半导体刻蚀设备。（）

2.光刻工艺是半导体制造中最关键的工艺之一。（）

3.化学气相沉积（CVD）只能沉积单一材料的薄膜。（）

4.半导体芯片制造过程中不需要进行测试。（）

5.北方华创的产品不应用于航空航天领域。（）

6.刻蚀工艺会对芯片造成一定的损伤。（）

7.半导体材料的导电性不随温度变化。（）

8.掺杂可以改变半导体的导电类型。（）

9.物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）的原理相同。（）

10.北方华创在半导体装备领域具有一定的技术优势。（）

答案：1.×2.√3.×4.×5.×6.√7.×8.√9.×10.√

简答题（每题5分，共4题）

1.简述北方华创在半导体装备领域的地位。

北方华创是国内半导体装备龙头企业，产品覆盖多个半导体制造环节，具有较强自主研发能力，打破国外技术垄断，在国内市场份额较高，推动我国半导体装备国产化进程。

2.光刻工艺的主要步骤有哪些？

主要步骤为：涂胶，在硅片表面均匀涂覆光刻胶；曝光，通过光刻机将掩膜版图形转移到光刻胶上；显影，去除曝光或未曝光的光刻胶部分，形成图形；坚膜，增强光刻胶与硅片的结合力。

3.化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）的区别是什么？

CVD是通过化学反应在基底表面沉积薄膜，能精确控制成分和结构，膜层质量好；PVD是通过物理方法如蒸发、溅射使材料沉积，沉积速率快，常用于金