低功耗4H-SiC沟槽IGBT的仿真研究.pdfVIP

摘要

碳化硅材料是一种具有高热导率、宽禁带、耐高温以及抗辐射能力强的半导体材料，近

几年由于它优良的特性而受到国际社会的广泛关注，其在现代军事电子通讯系统、航天系统、

电磁武器系统、高性能的雷达系统以及高铁牵引设备等国防和民用领域都有着巨大的应用前

景。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)同时拥有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)电压控制

和双极性晶体管(BJT)饱和电流密度大的特点而发展成为当前最有竞争力的电子器件，它可以

实现较低的导通压降；同时对于SiCIGBT器件来说，其关断损耗占据了功率损耗的绝大部分，

通态特性和关断特性的折中问题一直都是器件设计时需要考虑的一个关键问题。针对这一问

题，本文在传统沟槽型SiCIGBT结构的基础上，主要进行了以下工作：

+-

1、提出了阶梯型集电极异质结IGBT结构(SCH-IGBT),其特征是将P集电区深入到N漂

-+

移区，同时引入了p-poly/p-SiC异质结，这样器件正常导通时，深入到N漂移区中的P区可

以维持器件的导通特性，同时异质结的存在又为电子的泄放提供了额外的低阻通路。仿真结

果表明，在击穿电压一致的前提下，改进结构的关断损耗提升了60.6%，同时导通压降提升

了11.1%。

2、提出了沟槽型异质结IGBT结构(TH-IGBT)，其特征是在器件集电极一侧引入了沟槽

型的p-poly/p-SiC异质结，通过控制异质结两侧的掺杂浓度，使得器件在正向导通时，普通

PN结部分和异质结部分都可以注入空穴到漂移区，同时器件关断时异质结部分为电子的泄放

提供了一条低阻通路，从而可以降低器件的关断损耗。仿真结果表明，在击穿电压一致的前

提下，改进结构的关断损耗提升了91.24%，同时通态压降提升了10.7%。

关键词：4H-SiC，IGBT，击穿电压，关断损耗，通态压降

ABSTRACT

Siliconcarbidematerialisakindofsemiconductormaterialwithhighthermalconductivity,

wideforbiddenband,hightemperatureresistanceandstrongradiationresistance.Inrecentyears,

duetoitsexcellentcharacteristics,ithasreceivedextensiveattentionfromtheinternational

community.Ithasgreatapplicationprospectsinmodernmilitaryelectroniccommunicationsystems,

aerospacesystems,electromagneticweaponssystems,high-performanceradarsystems,high-speed

railwaytractionequipmentandothernationaldefenseandcivilfields.Insulatedgatebipolar

transistor(IGBT)hasthecharacteristicsofhighsaturationcurrentdensityofmetaloxide

semiconductorfieldeffecttransistor(MOSFET)voltagecontrolandbipolartransistor(BJT)atthe

sametimeandhasdevelope