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(3)画出用PROM实现的逻辑图A1≥1B1C1≥1m0m1m2m3m4m5m6m7地址译码器Y1Y2第30页，共53页，星期日，2025年，2月5日例用PROM构成一个码型转换器，将4位二进制码B3B2B1B0转换成循环码G3G2G1G0。二进制码转换为循环码的真值表0001W1511111001W1401111101W1310110101W1200110111W1111011111W1001011011W910010011W800010010W711101010W601101110W510100110W400100100W311001100W201001000W110000000W00000G0G1G2G3WiB0B1B2B3第31页，共53页，星期日，2025年，2月5日用PROM实现二进制码到循环码的转换11≥1A3A2W0W1W2W3G3G2G1G0(a)未编程的16×4位PROM11A1A0●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●Y3Y2Y1Y0W4W5W6W7W8W9W10W11W12W13W14W15××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××××≥1≥1≥1(b)编程后的或阵列≥1W0W1W2W3G3G2G1G0Y3Y2Y1Y0W4W5W6W7W8W9W10W11W12W13W14W15××××××××××××××××××××××××××××××××≥1≥1≥1第32页，共53页，星期日，2025年，2月5日10.4快闪存储器快闪存储器(FlashMemory)，简称闪存。它具有EPROM的结构简单、编程可靠的优点，同时又具有E2PROM的在电路中电擦除特性，与E2PROM相比较，集成度有较大幅度的提高。快闪存储器中的叠栅MOS管和符号快闪存储器的存储单元第33页，共53页，星期日，2025年，2月5日快闪存储器的两种构造形式NAND闪存的应用主要集中在大容量闪存盘(U盘)的制造方面NOR闪存主要用来存储程序代码等必须直接按照实际物理地址访问的信息，容量在16MB以下第34页，共53页，星期日，2025年，2月5日主要要求：了解RAM的类型、结构和工作原理。了解集成RAM的使用。了解RAM和ROM的异同。10.5随机存取存储器掌握RAM的扩展方法。第35页，共53页，星期日，2025年，2月5日10.5.1RAM的结构、类型和工作原理地址译码器存储矩阵读/写控制电路2n?mRAM的结构图A0A0An-1………I/O0I/O1I/Om-1R/WCS第36页，共53页，星期日，2025年，2月5日10.5.1RAM的结构、类型和工作原理１．存储矩阵将存储单元按阵列形式排列，形成存储矩阵。２．地址译码器为了区别不同的字，将存放在同一个字的存储单元编为一组，并赋予一个号码，称为地址。地址的选择是借助于地址译码器来完成的。地址码的位数n与可寻址数N之间的关系为：N=2n。３．片选与读/写控制电路（I/O电路）RAM主要由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路（I/O电路）三部分组成。第37页，共53页，星期日，2025年，2月5日256×1位RAM示意图X地址译码器Y地址译码器1,1A0A1A2A3X0(行)X15T0T0T15
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