二维硫化钨薄膜的化学气相沉积与性能研究.pdfVIP

摘要

六方结构的二硫化钨（WS）电子结构与厚度相关，与块体材料不同，单分

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子层厚的WS2是直接带隙半导体材料，禁带宽度约1.9eV，高的荧光量子效率

6-12-1-1

（ca.10cm）和载流子迁移率（1000cmvs），在纳米光电子器件等领域具有

广阔的应用前景。但是，目前二维WS2薄膜的可控生长还难以实现，这限制了

其在光电器件中的应用。针对目前WS2薄膜制备存在的问题，我们采用新的化

学气相沉积法（CVD）生长了连续、大面积、分子级厚度的WS2薄膜。本文创

新性地引入水汽作为输运剂，氧化锌（ZnO）作为异质成核剂，在氧化硅/硅基

底上生长出了WS2薄膜，研究了生长时间、输运剂的用量、载气流量、降温方

式和生长气氛等因素对WS薄膜生长的影响规律，探讨了WS薄膜的生长机理。

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本论文在成功合成二维硫化钨薄膜的基础上，还对硫化钨的稳定性和电学性

能分别进行了研究。研究结果发现，WS2薄膜在空气中不稳定，温度高于室温时

就会分解，温度越高，稳定性越差，温度达到400℃时，会完全分解；此外，

空气中等离子体放电也会造成硫化钨的分解。为了提高硫化钨的稳定性，研究发

现，在其表面覆盖PMMA薄膜可以有效阻止空气对硫化钨的氧化。本论文最后

部分，通过构建有机/无机异质结结构的光电探测器，研究了硫化钨薄膜在光电

探测器件方面的应用，研究发现其响应度为0.1A/W，对光照非常灵敏，表明硫

化钨分子级厚度的薄膜在光电探测器领域有潜在的应用前景。

关键词：二维WS2薄膜，CVD，输运剂，异质成核剂，稳定性，光电探测器

ABSTRACT

Theelectricalstructureofhexagonaltungstendisulfide(WS)isdependentonthe

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thicknessofthefilm.Unlikebulkmaterials,monolayerWS2isadirectbandgap

semiconductorwithabandgapofca.1.9eV.Thehighquantumefficiency(ca.106

-12-1-1

cm)andcarriermobility(1000cmvs)makemonolayerWS2awidepotential

applicationinthefieldofnanooptoelectrondevices.However,thecontrollable

growthofthetwo-dimensionalWS2filmsiscurrentlydifficulttoachieve,which

limitsitsuseinoptoelectronicdevices.Inviewofthecurrentproblemsinthe

fabricationofthemonolayerWS2film,weinvesti