基于CMOS工艺的倍频器和低噪声放大器设计.pdfVIP

杭州电子科技大学硕士学位论文

摘要

由于低频通信频段资源的枯竭以及人们对高速、宽带无线通信的需求，无线通信所使用

的频段势必会向高频段发展。CMOS工艺相较于其他化合物工艺，具有低成本、集成度高的

优点，而低噪声放大器与倍频器是射频前端电路中的两个重要组件，前者一般用作接收机的

前置放大器，决定了整个接收系统的噪声特性；后者常用于发射机，用于倍频产生高频率的

信号。因此，研究如何采用CMOS工艺设计工作在高频下的倍频器以及低噪声放大器对于现

代通信系统的应用以及发展具有重要意义。

首先，文章对设计中所采用的CMOS工艺和MOS场效应管作了一些简单的说明，同时

概括了射频电路设计中的传输线理论。另外还介绍了射频集成电路中常用的无源器件如电

感、电容，阐述了它们的实现结构与寄生参数模型。也介绍了平衡或者差分结构中常用的巴

伦，分析了采用不同结构实现巴伦的差异。

65-nmCMOSD

随后，本文设计了一款基于工艺的波段宽带二倍频器。该电路采用单平

衡拓扑结构，实现了二次谐波信号的产生和基波的抑制；采用带补偿线的螺旋式Marchand巴

伦实现单端至平衡结构转换以及扩展电路带宽。该倍频器的输出频率为110~170GHz，直流

2.3mW10dBm-13dB-10dB

功耗为，当输入功率为时，其转换增益为至，基波抑制大于

2

19dB，相对带宽为50%。芯片尺寸仅为0.45×0.58mm。

最后，本文还基于180-nmCMOS工艺设计了一款28GHz低噪声放大器，该低噪声放大

器采用三级共源级联的结构，其中各级放大器共用同一电压源并且级间匹配采用错峰匹配的

方式来提高整体带宽。从仿真结果上看，该低噪声放大电路在23~30GHz频段内增益均大于

11dB；在28GHz时增益约为16dB，噪声系数为4.9dB。直流功耗为28.8mW，芯片总面积为

1.2×0.69mm2。

文章采用CMOS工艺并基于仿真软件ADS和Cadence，使用理论和仿真相结合的方式完

成了D波段宽带二倍频器和28GHz低噪声放大器的设计，对工作频段较高的CMOS射频集

成电路设计具有一定参考意义。

关键词：CMOS、平衡结构、宽带二倍频器、多级、低噪声放大器

I

杭州电子科技大学硕士学位论文

ABSTRACT

Duetothedepletionoflow-frequencycommunicationbandresourcesandthedemandforhigh-

speedbroadbandwirelesscommunication,thefrequencybandusedbywirelesscommunicationis

boundtodeveloptothehighfrequencyband.Comparedwithothercompoundprocesses,CMOS

processhastheadvantagesoflowcostandhighintegration.Inaddition,TheLow-noiseamplifier

andfrequencymultiplieraretwoimportantcomponentsintheRFfront-endcircuit.Thelownoise

amplifierisgenerallyusedasthepreamplifierofthereceiver,whichdeterminesthenoise

characteristicsofthewholerecei