4H-SiC结型势垒肖特基（JBS）二极管：从设计、研制到工艺突破.docxVIP

4H-SiC结型势垒肖特基（JBS）二极管：从设计、研制到工艺突破

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电力电子技术的迅猛发展，高功率、高频率、高温、高压工作条件下的器件需求日益迫切。在众多半导体材料中，4H-SiC（4-碳化硅）凭借其独特的材料特性，成为了满足这些严苛需求的理想选择。4H-SiC具有宽禁带宽度，约为3.26eV，是传统硅材料的3倍左右，这使得它能够承受更高的电压，具备更低的导通电阻，有效减少了器件在工作过程中的能量损耗。同时，其高击穿场强度，可达2.2MV/cm，相比硅材料高出一个数量级以上，为实现高电压应用提供了坚实基础。此外，4H-SiC还拥有高