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沉积原子入射对外延铝薄膜中失配位错形成的诱发作用研究

一、绪论

1.1研究背景与意义

在材料科学领域，外延薄膜的生长与应用一直是研究的热点。随着现代科技的飞速发展，对薄膜材料性能的要求日益提高，而薄膜中的缺陷，尤其是失配位错，对其性能有着至关重要的影响。失配位错作为外延薄膜生长过程中出现的一种关键缺陷，其形成与演化机制一直是材料科学研究的核心问题之一。这是因为失配位错的存在不仅会直接影响薄膜的结构完整性，还会对基于薄膜的各类器件性能产生深远影响。例如，在半导体器件中，失配位错可能会成为载流子的散射中心，降低器件的电子迁移率，进而影响器件的运行速度和效率；在光学薄膜器件中，失配位错可能导致光的散射和吸收增加，降低薄膜的光学质量，影响其在光通信、光学传感等领域的应用。

在面心立方铝薄膜体系中，沉积原子入射是薄膜生长的基础过程。沉积原子入射时的位置和动能，会对外延铝薄膜中失配位错的形成产生重要影响。不同的入射位置，会使沉积原子与薄膜表面原子的相互作用方式和程度不同，进而影响失配位错的形核几率和位置。而入射动能的大小，则决定了沉积原子携带能量的多少，这会影响原子在薄膜表面的扩散能力以及与周围原子的结合方式，从而对失配位错的形成产生影响。然而，目前关于沉积原子入射位置与动能对失配位错形核的诱发机制尚不明确。这主要是因为现有的实验手段在时空分辨能力上存在一定的局限性，难以直接捕捉到原子尺度下的微观过程。原子尺度的微观过程发生在极其短暂的时间内和微小的空间尺度上，传统的实验技术无法在如此高的时空分辨率下对其进行观察和分析。

分子动力学模拟作为一种强大的计算工具，为揭示原子层次的物理机制提供了有效途径。通过分子动力学模拟，可以在计算机上构建原子模型，精确地控制和模拟各种参数条件，如沉积原子的入射位置、动能、温度等，从而深入研究这些因素对失配位错形成的影响。分子动力学模拟能够详细地展示原子的运动轨迹、相互作用以及能量变化等信息，为我们理解失配位错的形成机制提供了直观而准确的依据，弥补了实验研究的不足。因此，深入研究沉积原子入射对外延铝薄膜中失配位错形成的诱发作用，不仅有助于揭示薄膜生长过程中缺陷形成的微观物理机制，还能为优化薄膜生长工艺、调控薄膜缺陷提供理论依据，具有重要的科学意义和实际应用价值。

1.2国内外研究现状

在理论与实验研究方面，众多学者已取得了一系列有价值的成果。研究表明，失配位错的形成与晶格失配度密切相关。晶格失配度是指外延薄膜与衬底之间晶格常数的差异程度，当晶格失配度较大时，薄膜内部会产生较大的应变能，为了释放这种应变能，失配位错更容易形成。薄膜厚度也是影响失配位错形成的重要因素，随着薄膜厚度的增加，薄膜内部的应变能逐渐积累，当超过一定阈值时，就会促使失配位错的产生。温度对失配位错的形成也有着显著影响，较高的温度会增加原子的活性，使原子更容易克服位错形核的能垒，从而促进失配位错的形成。然而，针对沉积原子入射参数（位置、动能）的定量研究相对较少。虽然已经有一些研究关注到沉积原子入射对薄膜生长的影响，但大多只是定性地描述，缺乏系统的定量分析，对于不同入射位置和动能下失配位错形成的具体规律和机制，还需要进一步深入研究。

在分子动力学模拟研究方面，已有模拟显示，表面原子入射可诱发压应变薄膜快速形成位错。当表面原子以一定的能量和角度入射到压应变薄膜表面时，会与薄膜表面原子发生剧烈的相互作用，导致薄膜表面局部原子结构的改变，进而诱发位错的形成。然而，不同入射位置的诱发效率及动能阈值仍需系统分析。不同的入射位置会导致原子与薄膜表面原子的相互作用方式和强度不同，从而影响位错形成的难易程度和速度。对于动能阈值的研究也还不够完善，目前还不清楚在不同的体系和条件下，沉积原子需要具备多大的动能才能有效地诱发失配位错的形成。此外，现有研究在模拟体系的复杂性和模拟条件的真实性方面还有待提高，例如，实际的薄膜生长过程中可能存在杂质、表面粗糙度等因素，而目前的模拟研究往往忽略了这些因素的影响。

1.3研究目标与内容

本研究的目标是基于三维分子动力学模拟，深入探究沉积原子入射位置与动能对外延铝薄膜失配位错形成的诱发规律。通过精确控制模拟参数，系统地研究不同入射位置和动能下失配位错的形成过程，分析失配位错的形核位置、数量、类型以及演化规律，从而明确沉积原子入射参数与失配位错形成之间的定量关系。

具体研究内容包括：首先，建立精确的外延铝薄膜分子动力学模拟模型，合理设置模拟参数，确保模拟体系能够真实地反映实际的薄膜生长过程。在模型构建过程中，充分考虑铝原子之间的相互作用势函数，以及薄膜与衬底之间的晶格失配等因素。其次，研究沉积原子入射位置对外延薄膜失配位错形成的诱发作用。通过将沉积原子入射到面心立方{111}表面的不同特征位置，如FCC位置、HCP位