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5.2.1MOSFET放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算（2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路饱和区需要验证是否满足第28页，共54页，星期日，2025年，2月5日5.2.1MOSFET放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算静态时，vI＝0，VG＝0，ID＝I电流源偏置VS＝VG－VGS（饱和区）第29页，共54页，星期日，2025年，2月5日5.2.1MOSFET放大电路2.图解分析由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同第30页，共54页，星期日，2025年，2月5日5.2.1MOSFET放大电路3.小信号模型分析（1）模型静态值（直流）动态值（交流）非线性失真项当，vgs2(VGSQ-VT)时，第31页，共54页，星期日，2025年，2月5日5.2.1MOSFET放大电路3.小信号模型分析（1）模型??0时高频小信号模型第32页，共54页，星期日，2025年，2月5日3.小信号模型分析解：例5.2.2的直流分析已求得：（2）放大电路分析（例5.2.5）s第33页，共54页，星期日，2025年，2月5日3.小信号模型分析（2）放大电路分析（例5.2.5）s第34页，共54页，星期日，2025年，2月5日3.小信号模型分析（2）放大电路分析（例5.2.6）共漏第35页，共54页，星期日，2025年，2月5日3.小信号模型分析（2）放大电路分析end第36页，共54页，星期日，2025年，2月5日5.3结型场效应管5.3.1JFET的结构和工作原理5.3.2JFET的特性曲线及参数5.3.3JFET放大电路的小信号模型分析法第37页，共54页，星期日，2025年，2月5日5.3.1JFET的结构和工作原理1.结构#符号中的箭头方向表示什么？第38页，共54页，星期日，2025年，2月5日第1页，共54页，星期日，2025年，2月5日与BJT相比：利用电压产生的电场效应来控制电流单极型晶体管：主要是多数载流子导电输入阻抗高噪声低易于制造，便于集成第2页，共54页，星期日，2025年，2月5日P沟道耗尽型P沟道P沟道N沟道增强型N沟道N沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道场效应管的分类：第3页，共54页，星期日，2025年，2月5日5.1金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管5.1.1N沟道增强型MOSFET5.1.5MOSFET的主要参数5.1.2N沟道耗尽型MOSFET5.1.3P沟道MOSFET5.1.4沟道长度调制效应第4页，共54页，星期日，2025年，2月5日5.1.1N沟道增强型MOSFET1.结构（N沟道）L：沟道长度W：沟道宽度tox：绝缘层厚度通常WL第5页，共54页，星期日，2025年，2月5日5.1.1N沟道增强型MOSFET剖面图1.结构（N沟道）符号第6页，共54页，星期日，2025年，2月5日5.1.1N沟道增强型MOSFET2.工作原理（1）vGS对沟道的控制作用当vGS≤0时无导电沟道，d、s间加电压时，也无电流产生。当0vGSVT时产生电场，但未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生。当vGSVT时在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。vGS越大，导电沟道越厚VT称为开启电压第7页，共54页，星期日，2025年，2月5日2.工作原理（2）vDS对沟道的控制作用?靠近漏极d处的电位升高?电场强度减小?沟道变薄当vGS一定（vGSVT）时，vDS??ID??沟道电位梯度?整个沟道呈楔形分布第8页，共54页，星期日，2025年，2月5日当vGS一定（vGSVT）时，vDS??ID??沟道电位梯度?当vDS增加到使vGD=VT时，在紧靠漏极处出现预夹断。2.工作原理（2）vDS对沟道的控制作用在预夹断处：vGD=vGS-vDS=VT第9页，共54页，星期日，2025年，2月5日预夹断后，vDS??夹断区延长?沟道电阻??ID基本不变2.工作原理（2）vDS对沟道的