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氢化非晶硅薄膜：特性剖析及在硅异质结太阳电池中的创新应用

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体材料作为现代科技领域的关键基础材料，其发展历程见证了人类科技的巨大飞跃。从19世纪半导体现象的首次发现，到如今广泛应用于各个领域，半导体材料经历了从第一代硅（Si）、锗（Ge），第二代砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），第三代碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN），乃至正在崛起的第四代氧化镓（Ga?O?）、金刚石（Diamond）、氮化铝（AlN）等的演变，每一代半导体材料的出现都推动了相关技术的重大变革。

在众多半导体材料中，非晶硅（aSi）以其独特的物理和化学性质脱颖而出，受到了广泛关注。