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2025年大学《电子封装技术-先进封装技术》考试备考题库及答案解析

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一、选择题

1.先进封装技术中，3D堆叠技术的优势主要体现在（）

A.增加芯片层数，提高集成度

B.降低成本，提高生产效率

C.增强信号传输速度

D.减少芯片尺寸，提高功率密度

答案：A

解析：3D堆叠技术通过垂直方向上的多层芯片堆叠，显著增加了芯片的集成度，从而提升了性能和功能密度。虽然3D堆叠也能提高信号传输速度和功率密度，但其最核心的优势在于增加芯片层数，实现更高程度的集成。降低成本和提高生产效率通常不是3D堆叠技术的直接目标，尤其是在初期阶段。

2.在先进封装技术中，扇出型封装（Fan-Out）技术的关键特点在于（）

A.在芯片四周增加连接点，扩展I/O数量

B.减少芯片尺寸，提高集成度

C.增加芯片层数，提高性能

D.减少芯片层数，简化结构

答案：A

解析：扇出型封装技术的核心特点是在芯片四周增加更多的连接点（Pad），从而扩展输入/输出（I/O）数量，为更高密度的互连和更复杂的封装设计提供空间。这种设计允许芯片尺寸保持相对较小，同时实现更高的I/O密度和更好的电气性能，适用于高性能、高功耗的芯片应用。

3.先进封装技术中，嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术的应用主要目的是（）

A.提高芯片的运算速度

B.增加芯片的功耗

C.提高芯片的可靠性和数据保存能力

D.减少芯片的尺寸

答案：C

解析：嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术的应用主要目的是提高芯片的可靠性和数据保存能力。与易失性存储器（如RAM）不同，eNVM在断电后仍能保存数据，这对于需要长期存储配置信息、日志数据或用户数据的系统至关重要。虽然嵌入eNVM可能会略微增加芯片的尺寸，但其主要优势在于提高了系统的可靠性和数据安全性，而不是直接提高运算速度或降低功耗。

4.先进封装技术中，硅通孔（TSV）技术的核心优势在于（）

A.提高芯片的集成度

B.降低封装成本

C.增强信号传输速度

D.减少芯片尺寸

答案：C

解析：硅通孔（TSV）技术的核心优势在于显著增强了信号传输速度。TSV通过在硅晶圆内部垂直打通孔洞，实现了芯片内部不同层之间的高密度、低电阻、低电感互连，从而大大缩短了信号传输路径，提高了信号传输速度和带宽。虽然TSV技术也能提高芯片的集成度和减小芯片尺寸，但其最直接和最突出的优势在于信号传输性能的提升。

5.先进封装技术中，扇入型封装（Fan-In）技术的典型应用场景是（）

A.高性能计算芯片

B.低功耗物联网设备

C.高密度内存芯片

D.高速信号传输设备

答案：B

解析：扇入型封装（Fan-In）技术通常用于低功耗物联网设备。这种封装技术通过在芯片中心区域集成更多的功能单元，并在芯片四周引出连接点，适用于需要较低功耗和较小尺寸的应用场景。虽然扇入型封装也能实现一定程度的集成和功能密度提升，但其主要优势在于适用于低功耗、小型化的设备，例如物联网传感器、嵌入式系统等。

6.在先进封装技术中，嵌入式多芯片模块（eMCM）技术的关键优势在于（）

A.提高芯片的运算速度

B.增加芯片的I/O数量

C.提高芯片的可靠性和集成度

D.减少芯片的尺寸

答案：C

解析：嵌入式多芯片模块（eMCM）技术的关键优势在于提高芯片的可靠性和集成度。eMCM通过将多个功能芯片嵌入到一个封装体内，实现高度集成和协同工作，从而提高了系统的可靠性和性能。这种封装技术允许不同功能的芯片共享电源、时钟和信号路径，减少了封装尺寸和互连复杂性，同时提高了系统的稳定性和可靠性。

7.先进封装技术中，晶圆级封装（WLP）技术的典型优势在于（）

A.提高芯片的散热性能

B.降低封装成本和提升良率

C.增强信号传输速度

D.减少芯片尺寸

答案：B

解析：晶圆级封装（WLP）技术的典型优势在于降低封装成本和提升良率。WLP技术是在完整的晶圆上完成封装过程，然后切割成单个芯片，这种工艺方法可以显著提高生产效率，降低单位芯片的封装成本，同时由于封装过程的一致性，也有助于提升芯片的良率。虽然WLP技术也能减小芯片尺寸和增强信号传输速度，但其最核心的优势在于成本和良率的提升。

8.先进封装技术中，扇出型晶圆级封装（Fan-OutWLP）技术的关键挑战在于（）

A.提高芯片的运算速度

B.增加芯片的I/O数量

C.增加封装复杂性和成本

D.减少芯片尺寸

答案：C

解析：扇出型晶圆级封装（Fan-OutWLP）技术的关键挑战在于增加封装复杂性和成本。Fan-OutWLP需要在晶圆上设计额外的连接点（Pad），并可能采用多层基板来实现高密度的互连，这增加了封装设