干涉光刻法：任意图形微纳结构制备及SERS应用的深度探究.docx

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2025-11-18 发布于上海
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干涉光刻法：任意图形微纳结构制备及SERS应用的深度探究.docx

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干涉光刻法：任意图形微纳结构制备及SERS应用的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，微纳结构制备技术与表面增强拉曼散射（SERS）技术已成为科研和工业领域的关键技术，对推动众多领域的发展具有不可忽视的作用。

微纳结构是指特征尺寸在微米和纳米量级的结构，因其独特的物理、化学和生物学特性，在诸多领域展现出卓越的应用潜力。在半导体制造领域，微纳结构的精确制备是实现芯片高性能、小型化和多功能化的核心。随着集成电路技术的不断演进，对微纳结构的精度和复杂度要求日益严苛，如在7纳米及以下制程的芯片制造中，需要制备出纳米级别的晶体管和电路互联结构，这对微纳结构制备技术提出