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摘要
随着信息技术的迅猛发展，通讯技术对传输速度和系统损耗提出了更高的要求。根据摩
根定律，电子元件尺寸越来越小，集成度越来越高，未来微波通信技术将向更高频段靠拢。
这使得微波介质陶瓷成为了一种备受关注的新兴电子材料，具有较低的介电常数、较高品质
因数和良好温度稳定性的微波介质陶瓷将成为研究工作的热点。在低介电常数材料体系中，
堇青石因其制备成本低、污染小等优点引起了广泛的关注，但目前所制备的纯相堇青石Q×f
值较低，限制了实际应用。本文以降低介电损耗为主要目标，设计不同复合离子和单一离子
分别取代MgAlSiO陶瓷中Al位和Si位实验，通过传统固相反应法成功制备出低介低损
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耗堇青石(MgAlSiO)基微波陶瓷材料，具体的研究结果如下：
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(1)设计(Ge1/2Mg1/2)3+复合离子协同取代Al位优化堇青石陶瓷微波介电性能。通过固相
反应法合成MgAl(GeMg)SiO(0.12≤x≤0.28)单相固溶体陶瓷，得出以下结论：适量
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的(Ge1/2Mg1/2)3+取代Al3+有助于提升陶瓷的致密度与Q×f值，介电常数主要受离子极化率的
影响。通过复杂化学键理论(P-V-L)分析本征因素对陶瓷微波介电性能的影响，其中Si-O键
的晶格能对Q×f值贡献最大，τ值的变化与平均键能有关，Al-O键的键能对温度系数起主导
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作用。通过远红外反射光谱拟合得到在微波频段下的介电常数外推值为3.85，小于实测值
4.676，由本征介电损耗推测陶瓷的理论Q×f值为195772GHz，略高于实测值186503GHz，
其中在379-483cm-1范围内的介电极化贡献最大，约占整个频段范围的59.6%。此外，
[(SiAl)O]六元环的对称性也会对品质因数产生影响。最终在1440℃烧结下，获得具有优
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异微波介电性能的MgAl(GeMg)SiO陶瓷(x=0.2)：=4.676，Q×f=186503GHz，τ
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=-20.02ppm/℃。
(2)设计(Mn0.5Mg0.5)3+复合离子协同取代Al位优化堇青石陶瓷微波介电性能。通过传统
固相法合成MgAl(MnMg)SiO(0.1≤x≤0.3)单相固溶体陶瓷，得出以下结论：随着取
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代量x的逐渐增大，介电常数受离子极化率和掺杂摩尔体积变化的影响呈逐渐增大趋势。
Q×f值主要受到填充分数(P.F)和拉曼半高宽值的影响，在(Mn0.5Mg0.5)3+取代量为0.2时，陶
瓷样品的Q×f值达到最大为101420GHz。谐振频率温度系数(τ)受到氧八面体畸变和键价变
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化的影响呈现先增大后减小的趋势。最终在1380℃烧结下，获得具有优异微波介电性能的
MgAl(MnMg)SiO陶瓷(x=0.2)：=4.807，Q×f=101420GHz，τ=-26.44ppm/℃。
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(3)设计四价Mn4+离子取代Si位优化堇青石陶瓷微波介电性能。通过传统固相法制备
MgAlSiMnO(0.05≤x≤0.15)单相固溶体陶瓷，得出以下结论：适量的Mn4+离子取代Si4+
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