基于SOT效应的多比特磁性存储单元的实现.pdfVIP

摘要

为突破冯·诺依曼瓶颈的“内存墙”，研究人员提出了采用存储和计算单元融合方案的存

算一体架构。常用的存算一体架构的存储介质为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器

（DRAM），但两者都是易失的，应用场景有限；闪存（Flash）是非易失的，但使用寿命短和

需要纠错机制。基于自旋轨道矩（SpinOrbitTorque,SOT）的磁电子器件——霍尔条（Hall-bar）

具有使用寿命长、易制备、阻态连续变化、非易失编程及可支持存内计算等特性，在实现多

比特存储具备一定的优势。因此本文基于SOT的霍尔条器件，围绕如何实现多比特信息存储

单元，开展了如下研究：

（1）Hall-bar性能测试与模型建立。基于自旋轨道力矩效应理论，设计了器件的最优结

构，实现了零场自旋轨道矩翻转，利用电学测试平台测试了器件磁滞回线、等量脉冲及不等

量脉冲的电流驱动磁矩翻转曲线，获得了器件状态调节的最佳脉冲幅值、宽度及个数取值，

并使用Verilog-A语言建立了基于脉冲电流个数和宽度的Hall-bar电学模型，并结合读写电路

仿真验证了电学模型的准确性。

（2）一致性补偿方案设计与实现。针对器件之间的差异，首次提出基于Hall-bar的偏置

补偿方法及电路，采用Hall-bar与偏置电阻级联形式，将偏置电路接入Hall-bar读取路径中，

实现读写分离，可补偿单个Hall-bar的偏置误差，从而减小器件一致性问题影响。实验表明，

采用该方法将Hall-bar偏置由大于180mV降低至0.443mV，有效地解决了器件输出偏置一致

性问题。

（3）Hall-bar磁性存储单元电路仿真、实现与测试。利用Hall-bar电学模型进行了磁性

存储模块及其外围电路的设计与仿真，验证了整体系统的可行性；结合器件多态存储等特点，

采用脉冲电流幅值、宽度及个数的调节方式，首次构建了基于Hall-bar的磁存储模块，可实

现对Hall-bar的精确调控和编程，并且搭建了测试平台，测得Hall-bar反常霍尔电阻随着不同

脉冲电流幅值、宽度及个数变化的重复性测试曲线，及单个Hall-bar在不同读信号下的输出

结果。

本文研究了CoPt单层和多层薄膜两种器件，通过磁存储模块对其进行了测试，实验结果

表明：该模块可以实现不低于3bit的可重复的状态存储，可以支持读电流与多比特反常霍尔

电阻的模拟乘法运算，乘法运算实际测试结果与理论值存在不超过5.4%的误差，单个器件最

多测得超过50个阻态，通过电路改进及器件工艺优化可以实现更高比特存储。基于Hall-bar

的磁性存储单元丰富了存算一体的储存单元电路种类，为存算一体提供了新的实现方式。

关键词：自旋电子器件；Hall-bar；偏置补偿；磁性存储器件

ABSTRACT

ToovercomememorywallofthevonNeumannbottleneck,researchershaveproposedastorage-

computingfusionarchitecturethatintegratesstorageandcomputingunits.Thecommonlyused

storagemediainstorage-computingfusionarchitecture,suchasstaticrandomaccessmemory

(SRAM)anddynamicrandomaccessmemory(DRAM),arevolatileandhavelimitedapplication

scenarios.Flashmemory,whichisnon-volatile,hasashortlifespan,requireserror-correction

mechanisms,andcanonlybereadandwrittenalimitednumberoftimes.Therefore,basedonspin-

electronicdevices,researchersh