第9章常用晶体管.pptVIP

9.3晶体三极管

9.3.1基本结构1．结构和符号双极型半导体三极管的结构示意图如图9一15所示E一B间的PN结称为发射结，C一B间的PN结称为集电结。第29页，共64页，星期日，2025年，2月5日第30页，共64页，星期日，2025年，2月5日2．三极管的分类(1）按其结构类型分为NPN管和PNP管；(2）按其制作材料分为硅管和锗管；(3）按工作频率分为高频管和低频管；(4）按功率分为小功率管和大功率管；(5）按用途分有普通三极管和开关管。第31页，共64页，星期日，2025年，2月5日9.3.2电流分配和放大原理1．双极型半导体三极管内部电流分配关系双极型半导体三极管在工作时，一定要加上适当的直流偏置电压。若工作在放大状态，发射结加正向电压，集电结加反向电压。现以NPN型三极管为例，当它导通时，3个电极上的电流必然满足节点电流定律，即流人三极管的基极电流几和集电极电流IC等于流出三极管的发射极电流几，即第32页，共64页，星期日，2025年，2月5日第33页，共64页，星期日，2025年，2月5日（2）放大原理①发射区向基区发射电子(高掺杂）②电子在基区中复合与扩散（基区薄、低掺杂）③电子被集电极收集面积大内部条件第34页，共64页，星期日，2025年，2月5日外部条件：发射结正偏，集电结反偏第35页，共64页，星期日，2025年，2月5日（3）电流分配关系：第36页，共64页，星期日，2025年，2月5日2．

双极型半导体三极管的放大原理1）三极管的3种连接方式第37页，共64页，星期日，2025年，2月5日2）三极管的电流放大系数对于集电极电流Ic和基极电流极之间的关系可以用系数来说明，定义第38页，共64页，星期日，2025年，2月5日3）三极管的放大作用如图9一20所示为共射接法的三极管放大电路。第39页，共64页，星期日，2025年，2月5日9.3.3三极管的特性曲线三极管的特性曲线是用来表示该晶体三极管各极电压和电流之间相互关系的曲线，特性曲线可用实验或查半导体器件手册获得。最常用的是共发射极接法的输人特性曲线和输出特性曲线。共发射极接法的电路如图9一21所示。第40页，共64页，星期日，2025年，2月5日第41页，共64页，星期日，2025年，2月5日1．偷入特牲曲线第42页，共64页，星期日，2025年，2月5日2．输出特性曲线第43页，共64页，星期日，2025年，2月5日第44页，共64页，星期日，2025年，2月5日9.3.4

半导体三极管的主要参数当晶体管接成共射极电路时，静态时集电极电流Ic与基极电流几的比值称为共射极静态（又称直流）电流放大系数，用刀表示。即第45页，共64页，星期日，2025年，2月5日第1页，共64页，星期日，2025年，2月5日9.1半导体的基本知识9.1.1本征半导体1．本征半导体的原子结构半导体锗和硅都是4价元素，其原子结构示意图如图9一1所示。它们的最外层都有4个价电子，带4个单位负电荷。通常把原子核和内层电子称为第2页，共64页，星期日，2025年，2月5日第3页，共64页，星期日，2025年，2月5日2．本征激发在本征半导体内部，自由电子与空穴总是成对出现的，因此将它们称为电子一空穴对。当自由电子在运动过程中遇到空穴时，可能会填充进去从而恢复一个共价键，与此同时消失一个电子一空穴对，这一相反过程称为复合。第4页，共64页，星期日，2025年，2月5日9.1.2

N型半导体和P型半导体1.N型半导体第5页，共64页，星期日，2025年，2月5日第6页，共64页，星期日，2025年，2月5日9.1.3PN结1.PN结的形成在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种半导体交界面附近就形成了PN结，如图9一5所示。第7页，共64页，星期日，2025年，2月5日第8页，共64页，星期日，2025年，2月5日2.PN结的单向导电牲PN结在未加外加电压时，扩散运动与漂移运动处于动态平衡，通过PN结的电流为零。当电源正极接P