半导体的资料PVD-Process-introduction-TJ050419.pptVIP

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2025-11-28 发布于贵州
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半导体的资料PVD-Process-introduction-TJ050419.ppt

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PVDProcessIntroduction

ICTypicalSchematicPVDTechnologyAlCuPVDSalicidePVDBarrierPVDWCVDOutline

FOXN-wellP-wellP-P-P+P+FOXFOXN+N+P-P-P-P-N-N-WM1AlCuILDIMD-1PETEOSSACVDM2IMD-2PETEOSSACVDM3IMD-3M4Passivation17KA17KA17KA15KALogic-TypicalSchematic

CELLARRAYCROSSSECTIONCellP2P2P2PIPASS-2PASS-1IMD2IMD1CellP2P2P2PASS-2PASS-1STISTIPERIPHERALCROSSSECTIONFOXN-WellP-WellPIPIPASS-2PASS-1IMD2IMD1ILDPERIPHERALCROSSSECTIONFOXN-WellP-WellPASS-2PASS-1M3STISTISTIWSix1KWCVD1KTiCl4TiN200ATiCL4Ti100APCII75AWCVD2.4KMOTiN2x35AIMPTI200APCII250ATi50A/TiN700AAlCu4000ATi200A/TiN500ATiN500AAlCu6500ATi200A/TiN500AWCVD4KMOTiN2x35AIMPTI200APCII250AMemory-TypicalSchematic

ICTypicalSchematicPVDTechnologyAlCuPVDSalicidePVDBarrierPVDWCVD

Sputtering

TargetErosion

TransferChamberPVDChamberRobotPrecleanChamberCooldownChamberWaferOrienter/DegasChamberBufferChamberAMATENDURA5500

PVDChamberConfigurationTARGETPEDESTALWAFERCLAMPRINGSHIELDDCPOWERCOOLINGWATERMOTORMAGNETGASDCVoltageCDAEVMFCGASVALVEROUGHINGVALVEROUGHINGVALVEBAKEOUTLAMPCRYOPUMPGATEVALVEGASMFCGASVALVEToROUGHINGPUMPLIFTER

ICTypicalSchematicPVDTechnologyAlCuPVDSalicidePVDBarrierPVDWCVD

BottomTTNLayerTi:a)Buffer;Ti=TiO+Si(Rslow);2)TiN:隔开AL:AL+Ti=TiAL3(Rs)FilmStacksSiOOTopTTN-Dep:AL+Ti+TiNRshighAL+Ti=TiAL3(ALRough);2)Ti:a.ifnoTilayer:AL+N+=ALN3b.ifhasTilayer:AL+Ti+N+=ALTi3+TiNALTi3(Rs)ALN3(Rs)c.TicanpreventEM.

TTNprocess

Al-CuPhaseDiagramCu0.5%270C

ICTypicalSchematicPVDTechnologyAlCuPVDSalicidePVDBarrierPVDWCVD

SalicideProcessHFDip(100:1)120s(toremovenativeoxide)PCII(~50?)(toremoveremainingoxide)Ti,CoDeposition1stRTA(~500C,~30s)2ndRTA(~800C,~45s)SelectiveEtch(Piranhaetch)CappingLayerDep.(TiN,80-150?)

TitaniumSalicideProcessSalicide=SelfAlignedSilicide1.AthinTilayerissputte

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