等离子去胶机的结构原理与维护调试和故障分析.pdfVIP

子工业专用设备

先进光刻技术与设备EquipmentforElectronicProductsManufacturing

等离子去胶机的结构原理与维护调试

和故障分析

杨博，郝晓亮，赵英伟

(中国电子科技集团公司第十三研究所袁河北石家050051)

摘要以单片去胶设备为例介绍了等离子去胶机的结构原理对其维护标准和调试方法进行

了详细阐述对常见的故障和解决方法进行了总结最后针对射频自动匹配模块分析了典型维修

案例遥

关键词等离子去胶曰维修维护曰自动匹配

中图分类号TN305文献标志码B文章编号1004-4507(2023)04-0020-05

StructurePrincipleandMaintenanceTestFaultAnalysis

ofPlasmaStrippingDevice

YANGBo，HAOXiaoliang，ZHAOYingwei

th

(The13ResearchInstituteofCETC，Shijiazhuang050051，China)

Abstract:Takingsinglewaferstrippingdeviceforexample，theprincipleandstructureofplasma

strippingdevicesareintroduced，itsmaintenancestandardsandcommissioningmethodsaredescribed

indetail，thecommonfaultsandsolutionsaresummarized，andfinallyatypicalrepairingcaseforthe

radiofrequencyauto-matchingmoduleisanalyzed.

Keywords:Plasmastripping，Repairandmaintenance，Auto-match

[2]

随着半导体产业规迅速扩大，各种工艺技入无机杂质等不足之处；干法去胶主要是在等

术不断进步。光刻胶去除工艺在集成电路制造过离子环境下的氧原子与光刻胶的反应，这种方式

程中约占30%～35%，对于产品良率、性能和生产对晶圆表面器件有一定损伤，但经过多年的发展

成本有着重要影响，因此对于去胶设备的研究不已有很大改善，目前产业应用以等离子去胶为主，

[1]

可或缺。去胶工艺根据腐蚀的方法可以分为湿湿法去胶成为补充方式。

法去胶和干法去胶，湿法去胶是在有机溶剂中溶单片式等离子去胶机的刻蚀均匀性和稳定性

解掉光刻胶，具有去胶周期长，操作复杂，可能引与其它种类相比有很大的优越性，目前在GaAs、

稿日期2023-05-10

20总第301期）Aug2023

子工业专用设备

EquipmentforElectronicProductsManufacturing先进光刻技术与设备

InP行业等离子去胶工艺、扫底膜工艺中具有不可生成CO、CO、HO和其它挥发性氧化物，被真空